Material del semiconductor de las obleas de 4H-N 4inch 6inch sic para SBD MOS Device

Number modelo:4h-n
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:3 PIEZAS
Condiciones de pago:T/T, Western Union
capacidad de la fuente:1000PC/mes
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grado primero simulado de la producción de las obleas de 4inch 6inch 4H-N sic para SBD MOS Device


1. Comparación de los materiales de tercera generación del semiconductor


Sic cristalino es un material de tercera generación del semiconductor, que tiene grandes ventajas en de baja potencia, los escenarios de la miniaturización, de alto voltaje y de alta frecuencia del uso. Los materiales de tercera generación del semiconductor son representados por el carburo de silicio y el nitruro del galio. Comparado con las dos generaciones anteriores de materiales del semiconductor, la ventaja más grande es su anchura banda-libre amplia, que se asegura de que pueda penetrar una fuerza de campo eléctrico más alta y es conveniente para preparar los dispositivos de poder de alto voltaje y de alta frecuencia.

2. Clasificación

Los substratos del carburo de silicio sic se pueden dividir en dos categorías: substratos semi-aislados del carburo de silicio (la O.N.U-dopend de la pureza elevada y 4H-SEMI V-dopado) con la alta resistencia (resistorivity ≥107Ω·cm), y substratos conductores del carburo de silicio con resistencia baja (la gama de la resistencia es 15-30mΩ·cm).

2. Especificación para las obleas de 6inch 4H-N sic. (2inch, 3inch 4inch, sic oblea 8inch también está disponible)

Grado

Producción cero de MPD

Grado (grado de Z)

Grado de la producción estándar (grado de P)

Grado simulado

(Grado de D)

Material del semiconductor de las obleas de 4H-N 4inch 6inch sic para SBD MOS DeviceDiámetro99,5 mm~100.0 milímetro
Material del semiconductor de las obleas de 4H-N 4inch 6inch sic para SBD MOS DeviceGrueso4H-N350 μm±20 μm350 μm±25 μm
4H-SI500 μm±20 μm500 μm±25 μm
Orientación de la obleaMaterial del semiconductor de las obleas de 4H-N 4inch 6inch sic para SBD MOS DeviceDe eje: 4.0°toward <1120> ±0.5°for 4H-N, en eje: <0001> ±0.5°for 4H-SI
Densidad de Micropipe4H-N≤0.5cm-2cm2s ≤2cm2s ≤15
4H-SI≤1cm-2cm2s ≤5cm2s ≤15
Resistencia del ※4H-N0.015~0.025 Ω·cm0.015~0.028 Ω·cm
4H-SI≥1E9 Ω·cm≥1E5 Ω·cm
Orientación plana primaria{10-10} ±5.0°
Longitud plana primaria32,5 mm±2.0 milímetro
Longitud plana secundaria18,0 mm±2.0 milímetro
Orientación plana secundariaSilicio cara arriba: 90°CW. de ±5.0° plano primero
Exclusión del borde3 milímetros
LTV/TTV/Bow /Warp≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm

Aspereza del ※

Ra≤1 polaco nanómetro
CMP Ra≤0.2 nanómetroRa≤0.5 nanómetro

Grietas del borde por la luz de intensidad alta


Ninguno≤ acumulativo de la longitud 10 milímetros, solo length≤2 milímetro
Placas del hex. por la luz de intensidad altaÁrea acumulativa el ≤0.05%Área acumulativa el ≤0.1%
Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta Material del semiconductor de las obleas de 4H-N 4inch 6inch sic para SBD MOS DeviceNingunoEl area≤3% acumulativo
Inclusiones visuales del carbonoÁrea acumulativa el ≤0.05%Área acumulativa el ≤3%

Rasguños de la superficie del silicio por la luz de intensidad alta

NingunoAcumulativo len el ‘diámetro de gth≤1×wafer
Borde Chips High By Intensity LightNingunos permitieron anchura y profundidad de ≥0.2 milímetro5 permitida, ≤1 milímetro cada uno

Contaminación superficial del silicio por de intensidad alta

Ninguno
Material del semiconductor de las obleas de 4H-N 4inch 6inch sic para SBD MOS DeviceEmpaquetadocasete de la Multi-oblea o solo envase de la oblea

6inch N-tipo sic especificaciones de los substratos
PropiedadGrado P-MOSGrado de P-SBDGrado de D
Crystal Specifications
Crystal Form4H
Área de PolytypeNingunos permitieronEl Area≤5%
(MPD) a≤0.2 /cm2≤0.5 /cm2≤5 /cm2
Placas del hex.Ningunos permitieronEl Area≤5%
Polycrystal hexagonalNingunos permitieron
Inclusiones aEl Area≤0.05%El Area≤0.05%N/A
Resistencia0.015Ω•cm-0.025Ω•cm0.015Ω•cm-0.025Ω•cm0.014Ω•cm-0.028Ω•cm
(EPD) a≤4000/cm2≤8000/cm2N/A
(TED) a≤3000/cm2≤6000/cm2N/A
(BPD) a≤1000/cm2≤2000/cm2N/A
(TSD) a≤600/cm2≤1000/cm2N/A
(Falta de amontonamiento)Área del ≤0.5%Área del ≤1%N/A
Contaminación de metal superficial(Al, Cr, FE, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganeso) cm2s ≤1E11
Especificaciones mecánicas
Diámetro150,0 milímetros +0mm/-0.2mm
Orientación superficialDe fuera del eje: 4°toward <11-20>±0.5°
Longitud plana primaria47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros
Longitud plana secundariaNingún plano secundario
Orientación plana primaria<11-20>±1°
Orientación plana secundariaN/A
Misorientation ortogonal±5.0°
Final superficialC-cara: Polaco óptico, Si-cara: CMP
Borde de la obleaEl biselar
Aspereza superficial
(el 10μm×10μm)
Cara Ra≤0.20 nanómetro del Si; Cara Ra≤0.50 nanómetro de C
Grueso aμm 350.0μm± 25,0
LTV (10mm×10m m) a≤2μm≤3μm
(TTV) a≤6μm≤10μm
(ARCO) a≤15μm≤25μm≤40μm
(Deformación) a≤25μm≤40μm≤60μm
Especificaciones superficiales
Microprocesadores/mellasNingunos permitieron anchura y profundidad de ≥0.5mmAnchura y profundidad de Qty.2 ≤1.0 milímetro
Rasguños a
(Cara del Si, CS8520)
≤5 y diámetro acumulativo de Length≤0.5×Wafer≤5 y diámetro acumulativo de la oblea de Length≤1.5×
TUA (2mm*2m m)el ≥98%el ≥95%N/A
GrietasNingunos permitieron
ContaminaciónNingunos permitieron
Exclusión del borde3m m

2. Cadena industrial

La cadena sic industrial del carburo de silicio se divide en la preparación material del substrato, el crecimiento de la capa epitaxial, la fabricación del dispositivo y usos rio abajo. Los monocristales del carburo de silicio son preparados generalmente por la transmisión física del vapor (método de PVT), y entonces las hojas epitaxiales son generadas por la deposición de vapor químico (método del CVD) en el substrato, y los dispositivos relevantes finalmente se hacen. En la cadena industrial sic de dispositivos, debido a la dificultad de la tecnología de fabricación del substrato, el valor de la cadena industrial se concentra principalmente en el vínculo por aguas arriba del substrato.


La tecnología de ZMSH puede proveer de clientes sic importada y nacional conductor de alta calidad, 2-6inch semiaislantes y los substratos de HPSI (pureza elevada semiaislante) en lotes; Además, puede proveer de clientes las hojas epitaxiales homogéneas y heterogéneas del carburo de silicio, y puede también ser modificada para requisitos particulares según las necesidades específicas de clientes, sin cantidad de orden mínima.


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Material del semiconductor de las obleas de 4H-N 4inch 6inch sic para SBD MOS Device

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