AlN en las películas epitaxiales de Diamond Template Wafers AlN en Diamond Substrate

AlN en las películas epitaxiales de AlN de las obleas de la plantilla del diamante en el substrato AlN del diamante en el zafiro /AlN-on-SiC/ AlN-EN el silicio

El nitruro de aluminio (AlN) es uno de los pocos materiales nos-metálico con alta conductividad termal y tiene perspectivas amplias del uso del mercado. El semiconductor químico que fabricaba Co., Ltd. ha realizado para proveer de muchos clientes 2 pulgadas inches/4 diamante-basó plantillas de la película del nitruro de aluminio, 2 pulgadas inches/4 silicio-basó plantillas de la película del nitruro de aluminio, la sola deposición de vapor cristalina del nitruro de aluminio y otros productos, y se puede también basar en requisitos de uso. Carry out modificó crecimiento para requisitos particulares.

Ventajas de AlN
• El hueco de banda directo, anchura de hueco de banda de 6.2eV, es un material luminescente ultravioleta y ultravioleta profundo importante
• Alta fuerza de campo eléctrico de la avería, alta conductividad termal, alto aislamiento, constante dieléctrica baja, coeficiente bajo de la extensión termal, buen funcionamiento mecánico, resistencia a la corrosión, de uso general en temperatura alta y de alta frecuencia
Dispositivo de poder más elevado
• Funcionamiento piezoeléctrico muy bueno (especialmente a lo largo de C-AXIS), que es uno de los mejores materiales para preparar los diversos sensores, conductores y filtros
• Tiene constante muy cercano del enrejado y coeficiente de la extensión termal al cristal de GaN, y es el material preferido del substrato para el crecimiento heteroepitaxial de GaN basó los dispositivos optoelectrónicos.

Ventajas del uso
• Substrato UVC del LED
Conducido por el coste de proceso y los requisitos de la alta producción y de la alta uniformidad, el substrato de AlGaN basó el microprocesador UVC del LED está de cuesta grande del grueso, de gran tamaño y conveniente. Los substratos chaflanados del zafiro son una gran opción. El substrato más grueso puede aliviar con eficacia la distorsión anormal de las obleas epitaxiales causadas por la concentración de tensión durante epitaxia
La uniformidad de obleas epitaxiales puede ser mejorada; Substratos más grandes pueden reducir grandemente el efecto de borde y reducir rápidamente el coste total del microprocesador; El ángulo conveniente del chaflán puede
Para mejorar la morfología superficial de la capa epitaxial, o la cosechadora con la tecnología epitaxial para formar el efecto rico de la localización del portador del GA en la región activa del quántum bien, para mejorar la eficacia luminosa.
• Capa de transición
Usando AlN como la capa del almacenador intermediario puede mejorar perceptiblemente las propiedades epitaxiales de la calidad, eléctricas y ópticas de las películas de GaN. La unión mal hecha del enrejado entre GaN y el substrato AIN es 2,4%, la unión mal hecha termal es casi cero, que puede no sólo evitar la tensión termal causada por crecimiento de alta temperatura, pero también mejorar grandemente la eficacia de la producción.
• Otros usos
Además, las películas finas de AlN se pueden utilizar para las películas finas piezoeléctricas de los dispositivos de onda acústica superficial (SIERRA), las películas finas piezoeléctricas de los dispositivos a granel de la onda acústica (FBAR), aislando capas enterradas de materiales de SOI, y el enfriamiento monocromático
Materiales del cátodo (usados para las exhibiciones de la emisión de campo y tubos de vacío micro) y materiales piezoeléctricos, altos dispositivos de la conductividad termal, dispositivos acustópticos, ultra ultravioleta y detectores de la radiografía.
Emisión vacía del electrodo de colector, material dieléctrico del dispositivo del MIS, capa protectora de medio de la registración magnetoóptica.

Detalle de la especificación: