obleas de 4Inch 6INCH GaN-en-Si GaN-en-SIC Epi para el uso del RF

8 pulgadas 12 pulgadas 6 pulgadas GAN-ON-SI EPI-WAFERS para la aplicación de micro-LED RF POWER

8 pulgadas 100 mm 150 mm 200 mm 300 mm GAN-ON-SI EPI-WAFERS para la aplicación de energía

Wafer epitaxial de GaN (EPI de GaN en silicio)
ZMSH es un agente de GaN-on-Si obeliscos epitaxiales en Shanghia.

Introducción
La necesidad de ahorro energético y de avances en los sistemas de información y comunicación es cada vez mayor.Hemos desarrollado un sustrato semiconductor de banda ancha con nitruro de galio (GaN) como material semiconductor de próxima generación.
Concepto: Al cultivar películas finas de GaN de cristal único en sustratos de silicio, podemos producir sustratos de semiconductores grandes y baratos para dispositivos de próxima generación

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Objetivo: Para electrodomésticos: interruptores e inversores con voltajes de avería en cientos.
Ventajas: Nuestros sustratos de silicio son más baratos para cultivar GaN que otros sustratos de carburo de silicio o zafiro, y podemos proporcionar dispositivos GaN adaptados a los requisitos del cliente.

Glosario
espacio de banda ancha
Band gap refers to the energy field formed by the band structure in a crystal that does not contain electrons (semiconductor materials with a band gap larger than silicon are often referred to as wide band gap semiconductors)Material de banda ancha con buena transparencia óptica y alto voltaje de ruptura eléctrica

Heterojunción
En términos generales, en el campo de los semiconductores, las películas relativamente delgadas de materiales semiconductores con diferentes composiciones se apilan.En el caso de cristales mixtos, se obtienen heterojunciones con interfaces atómicamente lisas y buenas propiedades de interfaz.