El maniquí del substrato del nitruro de silicio de 4 pulgadas 4H-N sic califica sic el substrato para los dispositivos de poder más elevado
Number modelo:4H
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4H-N 4H-SEMI 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas SiC Substrato de calidad de producción de calidad ficticia para dispositivos de alta potencia
H Substratos de carburo de silicio de alta pureza, sustratos de carburo de silicio de alta pureza de 4 pulgadas, sustratos de carburo de silicio de 4 pulgadas para semiconductores, sustratos de carburo de silicio para semiconductores, obleas de cristal único,Los lingotes de sic para las gemas
Áreas de aplicación
1 dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia diodos Schottky, JFET, BJT, PiN, diodos, IGBT, MOSFET
2 dispositivos optoelectrónicos: utilizados principalmente en el material de sustrato de GaN/SiC azul LED (GaN/SiC)
ventaja
• Desajuste bajo de la rejilla
• Alta conductividad térmica
• Bajo consumo energético
• Excelentes características transitorias
• Gran brecha de banda
Carborundum de plaquetas de carburo de silicio y sustrato de cristal SiC
Substratos de SiC (carburo de silicio) 4H-N y 4H-SEMI, disponibles en una gama de diámetros tales como 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas y 6 pulgadas,se utilizan ampliamente para la fabricación de dispositivos de alta potencia debido a sus propiedades materiales superioresEstas son las propiedades clave de estos sustratos de SiC, que los hacen ideales para aplicaciones de alta potencia:
Amplio espacio de banda: El 4H-SiC tiene una banda ancha de aproximadamente 3,26 eV, lo que le permite operar eficientemente a temperaturas, voltajes y frecuencias más altas en comparación con los materiales semiconductores tradicionales como el silicio.
Campo eléctrico de alta ruptura: El campo eléctrico de alta degradación del SiC (hasta 2,8 MV/cm) permite a los dispositivos manejar voltajes más altos sin averías, por lo que es esencial para la electrónica de potencia como MOSFETs e IGBTs.
Excelente conductividad térmica: SiC tiene una conductividad térmica de alrededor de 3,7 W/cm·K, significativamente superior al silicio, lo que le permite disipar el calor de manera más efectiva.
Velocidad de electrones de alta saturación: El SiC ofrece una alta velocidad de saturación de electrones, mejorando el rendimiento de los dispositivos de alta frecuencia, que se utilizan en aplicaciones como sistemas de radar y comunicación 5G.
Fuerza mecánica y dureza: La dureza y robustez de los sustratos de SiC garantizan una durabilidad a largo plazo, incluso en condiciones de funcionamiento extremas, por lo que son muy adecuados para dispositivos de grado industrial.
Baja densidad de defectos: Los sustratos de SiC de calidad de producción se caracterizan por una baja densidad de defectos, lo que garantiza un rendimiento óptimo del dispositivo, mientras que los sustratos de calidad ficticia pueden tener una mayor densidad de defectos,con un contenido de aluminio superior o igual a 10%, pero no superior a 10%.
Estas propiedades hacen que los sustratos SiC 4H-N y 4H-SEMI sean indispensables en el desarrollo de dispositivos de potencia de alto rendimiento utilizados en vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable,y aplicaciones aeroespaciales.
Propiedades del material del carburo de silicio
| Propiedad | 4H-SiC, cristal único | 6H-SiC, cristal único |
| Parámetros de la red | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Secuencia de apilamiento | El ABCB | El ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidad | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Coeficiente de expansión térmica | 4 a 5 × 10 a 6/K | 4 a 5 × 10 a 6/K |
| Indice de refracción @750nm | no = 2.61 n = 2.66 | no = 2.60 n = 2.65 |
| Constante dieléctrica | C ~ 9.66 | C ~ 9.66 |
| Conductividad térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) | a ~ 4,2 W/cm·K@298K C ~ 3,7 W/cm·K@298K | |
| Conductividad térmica (semi-aislante) | a ~ 4,9 W/cm·K@298K C ~ 3,9 W/cm·K@298K | a~4,6 W/cm·K@298K C ~ 3,2 W/cm·K@298K |
| - ¿ Qué haces? | 3.23 eV | 3.02 eV |
| Campo eléctrico de ruptura | 3 a 5 × 106 V/cm | 3 a 5 × 106 V/cm |
| Velocidad de deriva de saturación | 2.0 × 105 m/s | 2.0 × 105 m/s |
2. tamaño de sustratos estándar para 6 pulgadas
| 6 pulgadas de diámetro 4H-N & Semi-carburo de silicio especificaciones de sustrato | ||||||||
| Propiedad del sustrato | Grado cero | Grado de producción | Grado de investigación | Grado de imitación | ||||
| Diámetro | 150 mm-0,05 mm | |||||||
| Orientación de la superficie | fuera del eje: 4° hacia abajo <11-20> ± 0,5° para 4H-N En el eje: <0001> ± 0,5° para 4H-SI | |||||||
| Orientación plana primaria | {10-10} ±5,0° para el 4H-N/Noche para el 4H-Semi | |||||||
| Duración plana primaria | 47.5 mm ± 2,5 mm | |||||||
| espesor 4H-N | DST 350 ± 25 mm o personalizado 500 ± 25 mm | |||||||
| espesor 4H-SEMI | Enfermedad de transmisión sexual de 500 ± 25 mm | |||||||
| El borde de la oblea | Las demás | |||||||
| Densidad de micropipos para 4H-N | < 0,5 micropipes/ cm2 | ≤ 2 micropipas/ cm2 | ≤ 10 micropipes/cm2 | ≤ 15 micropipes/cm2 | ||||
| Densidad de microtubos para 4H-SEMI | Se utilizará el método de ensayo de la muestra. | ≤ 5 micropipas/ cm2 | ≤ 10 micropipes/cm2 | ≤ 20 micropipes/cm2 | ||||
| Áreas de politipo por luz de alta intensidad | Ninguno permitido | Área ≤ 10% | ||||||
| Resistencia para 4H-N | 0.015 Ω·cm~0.028 Ω·cm | (área 75%) 0,015 Ω·cm~0,028 Ω·cm | ||||||
| Resistencia para 4H-SEMI | ≥1E9 Ω·cm | |||||||
| Las emisiones de CO2 de los sistemas de radiofrecuencia de los Estados miembros deben tener un contenido de CO2 equivalente al de los sistemas de radiofrecuencia. | No más3Se aplican las siguientes medidas:6Se aplican las siguientes medidas:30Se aplican las siguientes medidas:0Mm | No más5Se aplicarán las siguientes medidas:60Mm | ||||||
Placas hexagonales con luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 0,1% | ||||||
El SSuperficie de ilicónContaminación por luz de alta intensidad | No hay | |||||||
Inclusiones de carbono visual | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤El 3% |
Áreas de politipo por luz de alta intensidad | No hay | Área acumulada ≤ 3% |
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El maniquí del substrato del nitruro de silicio de 4 pulgadas 4H-N sic califica sic el substrato para los dispositivos de poder más elevado
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