Substrato de cerámica del catalizador de las obleas DSP de 4H-N 5x5m m sic
Number modelo:pureza elevada 4h-semi sin impurificar
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:10PCS
Condiciones de pago:Western Union, T/T
Capacidad de la fuente:5000pcs/months
Plazo de expedición:10-20days
Contacta
Add to Cart
Evaluación de proveedor
Shanghai Shanghai China
Dirección:
Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
Proveedor Último login veces:
Dentro de 13 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
HPSI de alta pureza 4H-SEMI 4H-N 10X10mm 5x5mm obleas sic DSP
Aplicación del carburo de silicio en la industria de dispositivos
de potencia
Unidad de rendimiento Silicon Si Silicon Carbide SiC Gallium Nitride GaN
El espacio de banda eV 1.12 3.26 3.41
Descomposición del campo eléctrico MV/cm 0.23 2.2 3.3
Movilidad de los electrones cm^2/Vs 1400 950 1500
Velocidad de deriva 10 a la potencia de 7 cm/s 1 2.72.5
Conductividad térmica W/cmK 1.5 3.8 1.3
Las obleas de SiC (carburo de silicio) de 4H-N 5x5 mm con
superficies pulidas de doble cara (DSP) son muy buscadas por sus
propiedades avanzadas, particularmente en alta potencia, alta
frecuencia,y aplicaciones de alta temperaturaComo sustrato de
semiconductores, el 4H-N SiC destaca por su conductividad térmica
superior, su alto campo eléctrico de descomposición y su amplio
intervalo de banda.lo que lo convierte en un candidato ideal para
la electrónica de potencia y los dispositivos de RF
(radiofrecuencia)Estas características permiten una conversión de
energía más eficiente en vehículos eléctricos, sistemas de energía
renovable y tecnologías avanzadas de comunicación como 5G.en
sustratos de catalizadores cerámicosLa alta resistencia a la
corrosión y la resistencia mecánica del SiC en condiciones extremas
ofrecen un entorno óptimo para las reacciones químicas, promoviendo
procesos catalíticos energéticamente eficientes.Para industrias
como los sistemas de escape de automóvilesLa combinación de la alta
estabilidad térmica y la alta eficiencia de los procesos de
fabricación de productos químicos y de la tecnología medioambiental
contribuyen a reducir las emisiones y a mejorar la eficiencia
general de los procesos.durabilidad, y la eficiencia energética
subraya su papel fundamental tanto en los avances de los
semiconductores como en las aplicaciones catalíticas.
ZMSH ofrece obleas de SiC y Epitaxy: las obleas de SiC son el material semiconductor de banda ancha de tercera generación con un excelente rendimiento.campo eléctrico de alta rupturaLa Wafer SiC también tiene grandes perspectivas de aplicación en el sector aeroespacial, el transporte ferroviario, el transporte de mercancías y el transporte de mercancías.generación de energía fotovoltaicaLa nueva tecnología de la electrónica de potencia, que incluye la tecnología de la transmisión de energía, los vehículos de nueva energía y otros campos, traerá cambios revolucionarios a la tecnología de la electrónica de potencia.cada oblea está en un recipiente de oblea, menos de 100 salón de clases limpio.
Las obleas de SiC preparadas para epi tienen tipo N o
semi-aislante, su politipo es 4H o 6H en diferentes grados de
calidad, Densidad de micropipos (MPD): libre, <5/cm2,
<10/cm2, <30/cm2, <100/cm2,y el tamaño disponible es 2
′′En el caso del SiC Epitaxy, su uniformidad de espesor de oblea a
oblea: 2% y uniformidad de dopado de oblea a oblea: 4%, la
concentración de dopado disponible proviene de E15, E16, E18,
E18/cm3,Las capas n y p de epi están disponibles., los defectos de
epi son inferiores a 20/cm2; todo el sustrato debe utilizarse de
grado de producción para el crecimiento de epi; las capas de epi de
tipo N < 20 micras están precedidas por una capa tampón de tipo
n, E18 cm-3, de 0,5 μm;Las capas de epi de tipo N≥20 micras están
precedidas de n-tipo, E18, capa de amortiguador de 1 a 5 μm; el
dopaje de tipo N se determina como un valor medio en toda la oblea
(17 puntos) utilizando la sonda CV de Hg;El espesor se determina
como un valor medio a través de la oblea (9 puntos) utilizando
FTIR.
2. tamaño de los sustratos estándar
4 pulgadas de diámetro de carburo de silicio (SiC) especificación del sustrato | |||||||||
| Grado | Grado de MPD cero | Grado de producción | Grado de investigación | Grado de imitación | |||||
| Diámetro | 76.2 mm±0,3 mm o 100±0,5 mm; | ||||||||
| El grosor | 500 ± 25 mm | ||||||||
| Orientación de la oblea | 0° fuera del eje (0001) | ||||||||
| Densidad de los microtubos | ≤ 1 cm2 | ≤ 5 cm2 | ≤ 15 cm2 | ≤ 50 cm2 | |||||
| Resistencia | 4H-N | 0.015 ~ 0.028 Ω•cm | |||||||
| 6H-N | 0.02 ~ 0.1 Ω•cm | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E7 Ω·cm | ||||||||
| Primaria Plano y longitud | {10-10} ± 5,0°,32.5 mm±2.0 mm | ||||||||
| Duración plana secundaria | 18.0 mm±2.0 mm | ||||||||
| Orientación plana secundaria | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ±5,0° | ||||||||
| Exclusión de los bordes | 3 mm | ||||||||
| TTV/Bow/Warp | Se aplicarán las siguientes medidas: | ||||||||
| La rugosidad | Polish Ra≤1 nm,CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||
| Las grietas causadas por la luz de alta intensidad | No hay | 1 permitido, ≤ 2 mm | Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | ||||||
| Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 3% | ||||||
| Áreas de politipo por luz de alta intensidad | No hay | Área acumulada ≤ 2% | Área acumulada ≤ 5% | ||||||
También se pueden suministrar wafer y lingotes de 2-6 pulgadas y otros tamaños personalizados.
3.Mostrar los detalles de los productos
Entrega y paquete
Preguntas frecuentes
- ¿Es su empresa una fábrica o una empresa comercial?
- Somos la fábrica y también podemos exportar nosotros mismos.
- P2. ¿Su empresa sólo trabaja con el negocio de la SIC?
- Sí; sin embargo no crecemos el cristal de sic por nosotros mismos.
- ¿Podría suministrar una muestra?
- Sí, podemos suministrar una muestra de zafiro de acuerdo a los requisitos del cliente.
- ¿Tiene alguna reserva de obleas sic?
- Por lo general tenemos algunas obleas de tamaño estándar de 2-6 pulgadas en stock.
- P5. ¿Dónde se encuentra su empresa?
- Nuestra empresa está ubicada en Shanghai, China.
- ¿Cuánto tiempo tardará en obtener los productos?- ¿ Qué?
- En general, el proceso tardará 3~4 semanas. Depende de la cantidad y el tamaño de los productos.
Substrato de cerámica del catalizador de las obleas DSP de 4H-N 5x5m m sic
Carro de la investigación
0