el N-tipo S de 3inch 76.2m m dopó la oblea del arseniuro de galio para la microelectrónica

Number modelo:GaAs-3inch
Lugar del origen:CHINA
Cantidad de orden mínima:5pcs
Capacidad de la fuente:100pcs/month
plazo de expedición:1-4weeks
Detalles de empaquetado:casstle 25pcs en sitio de limpieza de 100 grados
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N-tipo 3inch, 4inch, tipo semiaislante del metod de VFG de las obleas del arseniuro de galio de 6inch dia150mm GaAs para la microelectrónica,


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Obleas del arseniuro de galio del GaAs)

El arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de los elementos galio y arsénico. Es un semiconductor directo del bandgap de III-V con una estructura cristalina de la blenda de cinc.

El arseniuro de galio se utiliza en la fabricación de dispositivos tales como circuitos integrados de la frecuencia microondas, circuitos integrados monolíticos de la microonda, diodos electroluminosos infrarrojos, diodos láser, células solares y ventanas ópticas. [2]

El GaAs es de uso frecuente como material del substrato para el crecimiento epitaxial de otros semiconductores de III-V incluyendo el arseniuro de galio del indio, el arseniuro de galio de aluminio y otros.

Característica y uso de la oblea del GaAs

CaracterísticaCampo del uso
Alta movilidad de electrónDiodos electroluminosos
De alta frecuenciaDiodos láser
Alta eficacia de conversiónDispositivos fotovoltaicos
Bajo consumo de energíaAlto transistor de movilidad de electrón
Hueco de banda directoTransistor bipolar de la heterounión

Especificación

GaAs sin impurificar

Especificaciones semiaislantes del GaAs


Método del crecimientoVGF
DopanteCarbono
Oblea Shape*Ronda (diámetro: 2", 3", 4", y 6")
Orientación superficial **(100) ±0.5°

” Obleas *5 disponibles a petición

** Otras orientaciones quizá disponibles a petición


Resistencia (Ω.cm)≥1 × 107≥1 × 108
Movilidad (cm2/V.S)≥ 5.000≥ 4.000
Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2s)1,500-5,0001,500-5,000

Diámetro de la oblea (milímetros)50.8±0.376.2±0.3100±0.3150±0.3
Grueso (µm)350±25625±25625±25675±25
TTV [P/P] (µm)≤ 4≤ 4≤ 4≤ 4
TTV [P/E] (µm)≤ 10≤ 10≤ 10≤ 10
DEFORMACIÓN (µm)≤10≤10≤10≤5
DE (milímetros)17±122±132.5±1MUESCA
DE/SI (milímetros)7±112±118±1N/A
Polish*E/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished


FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propio número expreso, es grande.
Si no, podríamos ayudarle para entregar. Freight=USD25.0 (el primer peso) + USD12.0/kg

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como lente de la bola, lente de powell y lente del colimador:
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 workweeks después de orden.
(2) para los productos apagado-estándar, la entrega es 2 o 6 workweeks después de que usted ponga la orden.

Q: ¿Cómo pagar?
T/T, Paypal, unión del oeste, MoneyGram, pago seguro y garantía comercial en y etc….

Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 5pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 5pcs-20pcs.
Depende de cantidad y de técnicas

Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar el informe de detalle para nuestros productos.

Empaquetado – Logistcs
Las preocupaciones de Worldhawk por cada uno detallan del paquete, limpieza, tratamiento antiestático, por electrochoque. ¡Según la cantidad y la forma del producto, tomaremos un diverso proceso de empaquetado!


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el N-tipo S de 3inch 76.2m m dopó la oblea del arseniuro de galio para la microelectrónica

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