5x40m m modificados para requisitos particulares forman las obleas sic cristalinas 4 microprocesadores de H-N Sic Substrates
Number modelo:6h-n, 4h-semi
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1pcs
Capacidad de la fuente:100pcs/months
Plazo de expedición:10-20days
Detalles de empaquetado:Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en los casetes de solos envases de la o
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Shanghai Shanghai China
Dirección:
Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
tipo de la producción del grado del grado substratos SIMULADOS sic, substratos de 4inch dia100m 4H-N del carburo de silicio para el dispositivo de semiconductor,
4h-semi 4h-N modificó las obleas cuadradas de la forma para requisitos particulares sic
Áreas de aplicación
1 diodos de Schottky de los dispositivos electrónicos de alta frecuencia y del poder más elevado,
JFET, BJT, PiN, diodos, IGBT, MOSFET
2 dispositivos optoelectrónicos: utilizado principalmente en GaN/el material sic azul del substrato del LED (GaN/sic) LED
Advantagement
• Unión mal hecha baja del enrejado
• Alta conductividad termal
• Bajo consumo de energía
• Características transitorias excelentes
• Alto hueco de banda
Carborundo sic cristalino de la oblea del substrato del carburo de silicio
PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO
| Nombre de producto: | Substrato cristalino del carburo de silicio (sic) | ||||||||||||||||||||||||
| Descripción de producto: | 2-6inch | ||||||||||||||||||||||||
| Parámetros técnicos: |
| ||||||||||||||||||||||||
| Especificaciones: | 6H N-tipo N-tipo dia2 semiaislante “x0.33mm, dia2” x0.43mm, dia2 ' x1mmt, tiro de 10x10m m, de 10x5m m solo o tiro doble, Ra <10A de 4H | ||||||||||||||||||||||||
| Empaquetado estándar: | bolso limpio 1000 sitio limpio, 100 o solo empaquetado de la caja |
2. los substratos clasifican de estándar
especificación del substrato del carburo de silicio de 4 pulgadas de diámetro (sic) | |||||||||
| Grado | Grado cero de MPD | Grado de la producción | Grado de la investigación | Grado simulado | |||||
| Diámetro | 100,0 mm±0.5 milímetro | ||||||||
| Grueso | 350 μm±25μm (el grueso 200-500um también es aceptable) | ||||||||
| Orientación de la oblea | De eje: 4.0° hacia <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI en eje: <0001>±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | ||||||||
| Densidad de Micropipe | cm2s ≤1 | cm2s ≤5 | cm2s ≤15 | cm2s ≤50 | |||||
| Resistencia | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | |||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | ||||||||
| Plano primario y longitud | {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 milímetro | ||||||||
| Longitud plana secundaria | 18.0mm±2.0 milímetro | ||||||||
| Orientación plana secundaria | Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero | ||||||||
| Exclusión del borde | 3 milímetros | ||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤40μm | ||||||||
| Aspereza | Ra≤1 polaco nanómetro, CMP Ra≤0.5 nanómetro | ||||||||
| Grietas por la luz de intensidad alta | Ninguno | 1 permitida, ≤2 milímetro | ≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud | ||||||
| Placas del hex. por la luz de intensidad alta | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤3% | ||||||
| Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta | Ninguno | Área acumulativa el ≤2% | Área acumulativa el ≤5% | ||||||
| Rasguños por la luz de intensidad alta | 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | ||||||
| microprocesador del borde | Ninguno | 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno | 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno | ||||||
| Contaminación por la luz de intensidad alta | Ninguno | ||||||||
Sic la oblea y los lingotes 2-6inch y el otro tamaño modificado para requisitos particulares también puede ser proporcionado.
3.Pictures de los productos de la entrega antes
FAQ
Q: ¿Cuáles son sus productos principales?
: obleas de semiconductor y lente óptica, espejos, ventanas, filtros, prismas
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
: En plazo de expedición general está cerca de un mes para la acción producida de encargo de optics.except unas o una cierta óptica especial.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
: Podemos proporcionar muestras libres si tenemos óptica comunes como su petición, mientras que las muestras producidas de encargo no están libres.
Q: ¿Cuál es su MOQ?
MOQ es 10pcs para la mayor parte de la oblea o la lente, mientras que MOQ podría ser solamente de una pieza si usted necesita un elemento en la dimensión grande.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
T/T, L/C, VISA, Paypal, Alipay o negociación.
5x40m m modificados para requisitos particulares forman las obleas sic cristalinas 4 microprocesadores de H-N Sic Substrates
Carro de la investigación
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