Oblea semiaislante del INP del fosfuro de indio de 4 pulgadas para el diodo láser del LD
Número de modelo:InP-3inch
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:10pcs
Capacidad de la fuente:1000pcs/month
Plazo de expedición:3-4weeks
Detalles de empaquetado:sola caja de la oblea
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Shanghai Shanghai China
Dirección:
Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
oblea semiaislante para el diodo láser del LD, oblea de semiconductor, oblea del INP 3inch, solos substratos cristalinos para el uso del LD, oblea de semiconductor, oblea del INP, sola oblea cristalina del INP del fosfuro de indio 4inch del INP de wafer2inch 3inch 4inch
El INP introduce
| Solo cristal del INP | |
el crecimiento (método modificado de Czochralski) se utiliza para tirar de un solo cristal a través de un líquido bórico del óxido encapsulant a partir de una semilla. El dopante (FE, S, Sn o Zn) se añade al crisol junto con el
polycrystal. La alta presión se aplica dentro de la cámara para
prevenir la descomposición de la compañía del indio Phosphide.he ha desarrollado un proceso para rendir
pureza completamente stoechiometric, elevada y cristal bajo del INP
de la densidad de dislocación el solo. a una tecnología termal del bafle con respecto a un numérico modelado de las condiciones termales del crecimiento. el tCZ es un rentable tecnología madura con la reproductibilidad de alta calidad del boule al boule | |
Especificación
El FE dopó el INP
Especificaciones semiaislantes del INP
| Método del crecimiento | VGF |
| Dopante | Hierro (FE) |
| Forma de la oblea | Ronda (diámetro: 2", 3", Y 4") |
| Orientación superficial | (100) ±0.5° |
Orientaciones del *Other quizá disponibles a petición
| Resistencia (Ω.cm) | ≥0.5 × 107 |
| Movilidad (cm2/V.S) | ≥ 1.000 |
| Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2s) | 1,500-5,000 |
| Diámetro de la oblea (milímetros) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
| Grueso (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| DEFORMACIÓN (µm) | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| DE (milímetros) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
| DE/SI (milímetros) | 7±1 | 12±1 | 18±1 |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
Nota: Otras especificaciones quizá disponibles a petición
n- y p-tipo INP
Especificaciones semiconductoras del INP
| Método del crecimiento | VGF |
| Dopante | n-tipo: S, Sn Y sin impurificar; p-tipo: Zn |
| Forma de la oblea | Ronda (diámetro: 2", 3", Y 4") |
| Orientación superficial | (100) ±0.5° |
Orientaciones del *Other quizá disponibles a petición
| Dopante | S y Sn (n-tipo) | Sin impurificar (n-tipo) | Zn (p-tipo) |
| Concentración de portador (cm-3) | (0.8-8) × 1018 | × 1015 (de 1-10) | (0.8-8) ×1018 |
| Movilidad (cm2/V.S.) | × 103 (de 1-2.5) | × 103 (de 3-5) | 50-100 |
| Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2s) | 100-5,000 | ≤ 5000 | ≤ 500 |
| Diámetro de la oblea (milímetros) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
| Grueso (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| DEFORMACIÓN (µm) | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| DE (milímetros) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
| DE/SI (milímetros) | 7±1 | 12±1 | 18±1 |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
Nota: Otras especificaciones quizá disponibles a petición
| Proceso de la oblea del INP | |
| Cada lingote se corta en las obleas se traslapan que, pulido y la superficie preparada para la epitaxia. El proceso total se detalla abajo. | |
| Especificación e identificación planas | La orientación es indicada en las obleas por dos planos (de largo planos para la orientación, el pequeño plano para la identificación). El estándar de E.J. (europeo japonés) se utiliza generalmente. La configuración plana alterna (los E.E.U.U.) se utiliza sobre todo para Ø 4" las obleas. |
| Orientación del boule | Se ofrecen las obleas exactas (100) o misoriented. |
| Exactitud de la orientación de DE | En respuesta a las necesidades de la industria optoelectrónica, nosotros obleas de las ofertas con la exactitud excelente de la orientación: < 0=""> |
| Perfil del borde | Hay dos espec. comunes: borde químico que procesa o que procesa mecánico del borde (con una amoladora del borde). |
| Polaco | Las obleas se pulen mediante un proceso sustancia-mecánico dando por resultado una superficie plana, libre de daños. proporcionamos las obleas pulidas y solo-lado pulidas del doble-lado (con el lado trasero traslapado y grabado al agua fuerte). |
| Preparación superficial y empaquetado finales | Las obleas pasan con muchos pasos químicos quitar el óxido
producido durante el pulido y crear una superficie limpia con la
capa estable y uniforme del óxido que está lista para el
crecimiento epitaxial - la superficie epiready y ésa reduce los
oligoelementos a extremadamente - los niveles bajos. Después de la
inspección final, las obleas se empaquetan de una manera que
mantenga la limpieza superficial. Las instrucciones específicas para el retiro del óxido están disponibles para todos los tipos de las tecnologías epitaxiales (MOCVD, MBE). |
| Base de datos | Como parte de nuestro programa del control de proceso estadístico/de la gestión de calidad total, la base de datos extensa que registra las propiedades eléctricas y mecánicas para cada lingote así como análisis cristalino del calidad y superficial de obleas está disponible. En cada etapa de la fabricación, el producto se examina antes de pasar a la etapa siguiente para mantener un nivel de la consistencia de la calidad de la oblea a la oblea y del boule al boule. |
Paquete y entrega
FAQ:
Q: ¿Cuál es su MOQ y plazo de expedición?
: (1) para el inventario, el MOQ es 5 PC.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10-30 PC para arriba.
(3) para los productos modificados para requisitos particulares, plazo de expedición en 10days, tamaño custiomzed para 2-3weeks
Oblea semiaislante del INP del fosfuro de indio de 4 pulgadas para el diodo láser del LD
Carro de la investigación
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