2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material permanente
Número de modelo:GaN-no-polar
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1PC
Condiciones de pago:L / C, T / T
Plazo de expedición:2-4 semanas
Detalles de empaquetado:sola caja de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Contacta
Add to Cart
Evaluación de proveedor
Shanghai Shanghai China
Dirección:
Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
Proveedor Último login veces:
Dentro de 13 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Plantilla de sustratos de GaN de 2 pulgadas, oblea de GaN para LED, oblea de nitruro de galio semiconductor para ld, plantilla de GaN, oblea de GaN mocvd, sustratos de GaN independientes de tamaño personalizado, oblea de GaN de tamaño pequeño para LED, oblea de nitruro de galio mocvd 10x10 mm, 5x5 mm, GaN de 10x5 mm oblea, sustratos de GaN independientes no polares (plano a y plano m)
Característica de la oblea de GaN
| Producto | Sustratos de nitruro de galio (GaN) | ||||||||||||||
| Descripción del Producto: | Se presenta la plantilla Saphhire GaN Método de epitaxia en fase de vapor de hidruro epitxial (HVPE).En el proceso HVPE, el ácido producido por la reacción GaCl, que a su vez reacciona con amoníaco para producir nitruro de galio, se derrite.La plantilla de GaN epitaxial es una forma rentable de reemplazar el sustrato monocristalino de nitruro de galio. | ||||||||||||||
| Parámetros técnicos: |
| ||||||||||||||
| Especificaciones: | Película epitaxial de GaN (plano C), tipo N, 2 "* 30 micras, zafiro; Película epitaxial de GaN (plano C), tipo N, zafiro de 2 "* 5 micras; Película epitaxial de GaN (R Plane), tipo N, zafiro de 2 "* 5 micras; Película epitaxial de GaN (M Plane), tipo N, zafiro de 2 "* 5 micras. película de AL2O3 + GaN (Si dopado de tipo N);Película AL2O3 + GaN (Mg dopado tipo P) Nota: según demanda del cliente orientación y tamaño especial del enchufe. | ||||||||||||||
| Embalaje estándar: | 1000 salas limpias, 100 bolsas limpias o embalaje de caja individual |
Solicitud
GaN se puede usar en muchas áreas, como pantallas LED, detección e
imágenes de alta energía,
Pantalla de proyección láser, dispositivo de alimentación, etc.
- Pantalla de proyección láser, dispositivo de alimentación, etc.
- Almacenamiento de fecha
- Iluminación de bajo consumo
- Pantalla plana a todo color
- Proyecciones láser
- Dispositivos electrónicos de alta eficiencia
- Dispositivos de microondas de alta frecuencia
- Detección de alta energía e imagine
- Nueva energía solor tecnología de hidrógeno
- Medio ambiente Detección y medicina biológica
- Banda de terahercios de la fuente de luz
Especificaciones:
Especificación de la plantilla de GaN
Archivo de especificación de GaN independiente de 2~4 pulgadas
| Artículo | GaN-FS-CU-C50 | GaN-FS-CN-C50 | GaN-FS-C-SI-C50 |
| Dimensiones | mi 50,8 mm ± 1 mm | ||
| Espesor | 350 ± 25 horas | ||
| Área de superficie utilizable | > 90% | ||
| Orientación | Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,35° ± 0,15° | ||
| Plano de orientación | (1-100) ±0,5°, 16,0 ±1,0 mm | ||
| Piso de Orientación Secundaria | (11-20) ±3°, 8,0 ±1,0 mm | ||
| TTV (Variación de espesor total) | < 15 horas | ||
| ARCO | < 20 hs | ||
| Tipo de conducción | tipo N | tipo N | Semiaislante (dopado con Fe) |
| Resistividad (3O0K) | < 0,1 Q・cm | < 0,05 Q・cm | >106 Q・cm |
| Densidad de dislocación | De 1x105 cm-2 a 3x106 cm-2 | ||
| Pulido | Superficie frontal: Ra < 0,2 nm (pulido);o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia) | ||
| Superficie trasera: 0,5 ~ 1,5 pm;opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido) | |||
| Paquete | Envasado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en contenedores de oblea individuales, bajo una atmósfera de nitrógeno. | ||
| tamaño | Sustratos de GaN de 4” |
| Artículo | GaN-FS-N |
| Tamaño de las dimensiones | Ф 100,0 mm ± 0,5 mm |
| Espesor del sustrato | 450 ± 50 micras |
| Orientación del sustrato | Eje C (0001) hacia el eje M 0,55± 0,15° |
| Polaco | SSP o DSP |
| Método | HVPE |
| ARCO | <25UM |
| TTV | <20um |
| Aspereza | <0.5nm |
| resistividad | 0.05ohm.cm |
| dopante | Si |
(002) FWHM&(102) FWHM | <100arco |
Cantidad y tamaño máximo de agujeros y pozos | Grado de producción ≤23@1000 um; Grado de investigación ≤68@1000 um |
| Grado simulado ≤112@1000 um | |
| Área utilizable | nivel de P>90%;Nivel R> 80%: Nivel D> 70% (exclusión de defectos de borde y macro) |
| Sustratos de GaN independientes no polares (plano a y plano m) | ||
| Artículo | GaN-FS-a | GaN-FS-m |
| Dimensiones | 5,0 mm × 5,5 mm | |
| 5,0 mm × 10,0 mm | ||
| 5,0 mm × 20,0 mm | ||
| Tamaño personalizado | ||
| Espesor | 330 ± 25 micras | |
| Orientación | plano a ± 1° | plano m ± 1° |
| TTV | ≤15 micras | |
| ARCO | ≤20 micras | |
| Tipo de conducción | tipo N | |
| Resistividad (300K) | < 0,5 Ω·cm | |
| Densidad de dislocación | Menos de 5x106 cm-2 | |
| Área de superficie utilizable | > 90% | |
| Pulido | Superficie frontal: Ra < 0,2 nm.Epi-ready pulido | |
| Superficie trasera: tierra fina | ||
| Paquete | Envasado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en contenedores de oblea individuales, bajo una atmósfera de nitrógeno. | |
2.ZMKJ proporciona oblea de GaN a la industria de la microelectrónica y la optoelectrónica con un diámetro de 2" a 4".
Las obleas epitaxiales de GaN se cultivan mediante el método HVPE o MOCVD, se pueden utilizar como sustrato ideal y excelente para dispositivos de alta frecuencia, alta velocidad y alta potencia.Actualmente podemos ofrecer obleas epitaxiales de GaN para investigación fundamental y desarrollo de productos de dispositivos, incluida la plantilla de GaN, AlGaN
e InGaN.Además de la oblea estándar basada en GaN, le invitamos a
discutir su estructura de capa epi.
2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material permanente
Carro de la investigación
0