Grueso de GaN Wafer 350um del nitruro del galio de la exhibición de la proyección del laser
Número de modelo:GaN-2INCH
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1PC
Condiciones de pago:L / C, T / T
Plazo de expedición:2-4 semanas
Detalles de empaquetado:sola caja de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
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Shanghai Shanghai China
Dirección:
Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
substratos libres de 2inch GaN, oblea para el LD, oblea semiconductora de GaN del nitruro del galio para llevado, plantilla de GaN, substratos de 10x10m m GaN, oblea nativa de GaN,
- III-nitruro (GaN, AlN, mesón)
Cubierta prohibida del ancho de banda (luminescente y absorción) el ultravioleta, la luz visible y el infrarrojo.
GaN se puede utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED, detección de alta energía y proyección de imagen,
Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.
Especificaciones:
| Artículo | GAN-FS-n | |
| Dimensiones | ± 1m m de Ф 50.8m m | |
| Densidad del defecto de Marco | Un nivel | ≤ 2 cm-2 |
| Nivel de B | > 2 cm-2 | |
| Grueso | 300 µm del ± 25 | |
| Orientación | ± 0.5° de C-AXIS (0001) | |
| Orientación plana | ± 0.5°, (de 1-100) ± 16,0 1.0m m | |
| Orientación secundaria plana | ± 3°, 8,0 ± 1.0m m (de 11-20) | |
| TTV (variación total del grueso) | µm ≤15 | |
| ARCO | µm ≤20 | |
| Tipo de la conducción | N-tipo | |
| Resistencia (300K) | < 0=""> | |
| Densidad de dislocación | Menos que 5x106 cm-2 | |
| Superficie usable | > el 90% | |
| Polaco | Superficie delantera: Ra < 0=""> Superficie trasera: Tierra fina | |
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno. | |
2. Nuestra empresa Vision
proporcionaremos el substrato de alta calidad de GaN y la tecnología del uso para la industria.
GaNmaterial de alta calidad es el factor de refrenamiento para el uso de los III-nitruros, e.g larga vida
y alta estabilidad LDs, poder más elevado y altos dispositivos de la microonda de la confiabilidad, alto brillo
y eficacia alta, LED ahorro de energía.
- FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propio número expreso, es grande.
Si no, podríamos ayudarle para entregar. Freight=USD25.0 (el primer
peso) + USD12.0/kg
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como oblea de 2inch 0.33m m.
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de
orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la
entrega es 2 o 3 workweeks después de orden.
Q: ¿Cómo pagar?
100%T/T, Paypal, unión del oeste, MoneyGram, pago seguro y garantía
del comercio.
Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 1pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el
MOQ es 5pcs-10pcs.
Depende de cantidad y de técnicas.
Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar los informes del informe y del alcance de ROHS
para nuestros productos.
Grueso de GaN Wafer 350um del nitruro del galio de la exhibición de la proyección del laser
Carro de la investigación
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