2 pulgadas 6H - semi bajo consumo de energía de la oblea del carburo de silicio para el detector
Número de modelo:2inch-6h
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:2pcs
Capacidad de la fuente:5000e
Plazo de expedición:Dentro de 15days
Detalles de empaquetado:en los casetes de solos envases de la oblea
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Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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2 pulgadas de obleas de silicona de 6H-Semi sic, sustratos de silicona personalizados, 2 pulgadas de obleas de silicona de 6H-N, lingotes de cristal de silicona, obleas de carburo de silicio
Esta oblea de carburo de silicio (SiC) semi-aislante de 2 pulgadas 6H está diseñada para aplicaciones que requieren un bajo consumo de energía, particularmente en detectores.El carburo de silicio es conocido por su excepcional estabilidad a altas temperaturas, alto voltaje de ruptura y excelente conductividad térmica, lo que lo convierte en un material ideal para dispositivos y sensores electrónicos de alto rendimiento.Las propiedades de aislamiento eléctrico superiores de la oblea y el bajo consumo de energía mejoran significativamente la eficiencia y la vida útil del detectorComo componente clave para lograr una tecnología de detección de bajo consumo y alto rendimiento, esta oblea de SiC es adecuada para diversas aplicaciones exigentes.
Sobre el cristal de carburo de silicio SiC
- Ventajas
- • Desajuste bajo de la rejilla
- • Alta conductividad térmica
- • Bajo consumo energético
- • Excelentes características transitorias
- • Gran brecha de banda
Áreas de aplicación
- 1 dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia diodos Schottky, JFET, BJT, PiN,
- Diodos, IGBT y MOSFET
- 2 dispositivos optoelectrónicos: utilizados principalmente en el material de sustrato de GaN/SiC azul LED (GaN/SiC)
Propiedades del material del carburo de silicio
| Propiedad | 4H-SiC, cristal único | 6H-SiC, cristal único |
| Parámetros de la red | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Secuencia de apilamiento | El ABCB | El ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidad | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Coeficiente de expansión térmica | 4 a 5 × 10 a 6/K | 4 a 5 × 10 a 6/K |
| Indice de refracción @750nm | no = 2.61 n = 2.66 | no = 2.60 n = 2.65 |
| Constante dieléctrica | C ~ 9.66 | C ~ 9.66 |
| Conductividad térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) | a ~ 4,2 W/cm·K@298K C ~ 3,7 W/cm·K@298K | |
| Conductividad térmica (semi-aislante) | a ~ 4,9 W/cm·K@298K C ~ 3,9 W/cm·K@298K | a~4,6 W/cm·K@298K C ~ 3,2 W/cm·K@298K |
| - ¿ Qué haces? | 3.23 eV | 3.02 eV |
| Campo eléctrico de ruptura | 3 a 5 × 106 V/cm | 3 a 5 × 106 V/cm |
| Velocidad de deriva de saturación | 2.0 × 105 m/s | 2.0 × 105 m/s |
Especificaciones estándar.
| 2 pulgadas de diámetro de carburo de silicio (SiC) especificación del sustrato | ||||||||||
| Grado | Grado de MPD cero | Grado de producción | Grado de investigación | Grado de imitación | ||||||
| Diámetro | 50.8 mm ± 0,2 mm | |||||||||
| El grosor | 330 μm±25 μm o 430±25 μm | |||||||||
| Orientación de la oblea | Fuera del eje: 4,0° hacia < 1120> ± 0,5° para 4H-N/4H-SI En el eje: < 0001> ± 0,5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
| Densidad de los microtubos | ≤ 0 cm2 | ≤ 5 cm2 | ≤ 15 cm2 | ≤ 100 cm2 | ||||||
| Resistencia | 4H-N | 0.015 ~ 0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 0.02 ~ 0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Piso primario | {10-10} ± 5,0° | |||||||||
| Duración plana primaria | 18.5 mm±2.0 mm | |||||||||
| Duración plana secundaria | 10.0 mm±2.0 mm | |||||||||
| Orientación plana secundaria | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ±5,0° | |||||||||
| Exclusión de los bordes | 1 mm | |||||||||
| TTV/Bow/Warp | Se aplicarán las siguientes medidas: | |||||||||
| La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | |||||||||
| CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||||
| Las grietas causadas por la luz de alta intensidad | No hay | 1 permitido, ≤ 2 mm | Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |||||||
| Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 3% | |||||||
| Áreas de politipo por luz de alta intensidad | No hay | Área acumulada ≤ 2% | Área acumulada ≤ 5% | |||||||
| Rasguños por luz de alta intensidad | 3 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | 5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | 5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | |||||||
| el chip de borde | No hay | 3 permitidos, ≤ 0,5 mm cada uno | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |||||||
ZMKJ puede proporcionar una oblea de SiC de cristal único de alta calidad (Carburo de Silicio) a la industria electrónica y optoelectrónica.con propiedades eléctricas únicas y excelentes propiedades térmicas , en comparación con las obleas de silicio y GaAs, las obleas de SiC son más adecuadas para aplicaciones de alta temperatura y dispositivos de alta potencia. Las obleas de SiC se pueden suministrar en diámetros de 2-6 pulgadas, tanto 4H como 6H SiC,Tipo N, tipo de nitrógeno dopado, y semi-aislante disponibles.
Embalaje y entrega
>Embalaje
Nos preocupamos por cada detalle del paquete, limpieza,
antistático, tratamiento de choque.
De acuerdo a la cantidad y forma del producto, vamos a tomar un proceso de embalaje diferente!
2 pulgadas 6H - semi bajo consumo de energía de la oblea del carburo de silicio para el detector
Carro de la investigación
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