Módulo de poder del mosfet IGBT del poder del st del módulo de poder del Mosfet de FGH40N60SMD

Número de modelo:FGH40N60SMD
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:8500PCS
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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FGH40N60SMDF

600V, parada de campo 40A IGBT

 

Características

• Temperatura de empalme máxima: TJ =175℃

• Coeficiente positivo de Temperaure para el funcionamiento paralelo fácil

• Capacidad de gran intensidad

• Voltaje de saturación bajo: VCE(sentado) =1.9V (tipo.) @ IC = 40A

• Alta impedancia de entrada

• Transferencia rápida

• Apriete la distribución del parámetro

• RoHS obediente

 

Usos

• Inversor solar, UPS, SMPS, PFC

• Calefacción de inducción

 

Descripción general

Usando tecnología nueva de la parada de campo IGBT, las nuevas series de Fairchild de parada de campo IGBTs ofrecen el funcionamiento óptimo para los usos solares del inversor, de UPS, de SMPS, de IH y de PFC donde están esenciales la conducción y las pérdidas bajas de la transferencia.

 

Grados máximos absolutos

SímboloDescripciónGradosUnidades
VCESColector al voltaje del emisor600V
VGESPuerta al voltaje del emisor± 20V
ICCorriente de colector @ TC = 25℃80A
Corriente de colector @ TC = 100℃40A
ICM(1)Corriente de colector pulsada120A
IFCorriente delantera @ T del diodoC = 25℃40A
Corriente delantera @ T del diodoC = 100℃20A
IFM(1)Corriente delantera máxima pulsada del diodo120A
PDDisipación de poder máxima @ TC = 25℃349W
Disipación de poder máxima @ TC = 100℃174W
TJTemperatura de empalme de funcionamiento-55 a +175
TstgGama de temperaturas de almacenamiento-55 a +175
TL

Temporeros máximos de la ventaja. para los propósitos que sueldan,

1/8" del caso por 5 segundos

300

Notas: 1: Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.

 

 

 

 

Oferta común (venta caliente)

Número de parte.CantidadMarcaD/CPaquete
EL817B-F12000EL16+INMERSIÓN
EL817C-F12000EVERLIGHT16+INMERSIÓN
EL817S (A) (TA) - F68000EVERLIGHT12+SOP-4
EM639165TS-6G7930ETRONTECH15+TSOP-54
EM63A165TS-6G13467ETRONTECH14+TSOP-54
EM78P459AKJ-G9386EMC15+DIP-24
EMI2121MTTAG5294EN15+DFN
ENC28J60-I/SO7461MICROCHIP16+SOP-28
EP1C3T144C8N3452ALTERA13+QFP144
EP3C5F256C8N2848ALTERA15+BGA
EP3C80F780I7N283ALTERA16+BGA
EP91323575EXPLORE16+TQFP-80
EPC1213LC-203527ALT03+PLCC20
EPC1213PC88853ALTERA95+DIP-8
EPC2LI20N2794ALTERA13+PLCC
EPM7032SLC44-10N2472ALTERA13+PLCC44
EPM7064SLC44-10N2498ATLERA15+PLCC
EPM7128SQC100-10N1714ALTERA12+QFP
ERA-1SM+3210MINI15+SOT-86
ES1B-E3/61T18000VISHAY14+DO-214AC
ES2G-E3/52T12000VISHAY16+SMB
ES2J-E3/52T12000VISHAY13+DO-214AA
ES3J12000FSC15+SMC
ES56031S3498ES16+SOP-24
ESAD92-026268FUIJ16+TO-3P
ESD112-B1-02EL E632723000INFINEON15+TSLP-2-20
ESD5Z5.0T1G9000EN13+SOD-523
ESD5Z7.0T1G12000EN16+SOD-523
ESDA6V1SC551000ST15+SOT23-5
ESP-12E3991AI16+SMT

 

 

 

 

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Módulo de poder del mosfet IGBT del poder del st del módulo de poder del Mosfet de FGH40N60SMD

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