K4H561638H-UCB3 especificación electrónica de RDA SDRAM del H-dado de los chips CI 256Mb

K4H560438H K4H560838H K4H561638H

especificación de RDA SDRAM del H-dado 256Mb

66 TSOP-II con Pb-libre (RoHS obediente)

Características dominantes

• VDD: 2.5V ± 0.2V, VDDQ: 2.5V ± 0.2V para DDR266, 333

• VDD: 2.6V ± 0.1V, VDDQ: 2.6V ± 0.1V para DDR400

• arquitectura de la Doble-dato-tarifa; dos transferencias de datos por ciclo de reloj

• Estroboscópico bidireccional de los datos [DQS] (x4, x8) y [L (U) DQS] (x16)

• Operación de cuatro bancos

• Entradas de reloj diferenciado (CK y CK)

• El DLL alinea la transición de DQ y de DQS con la transición de las CK

• SEÑORA ciclo con programas de la llave de dirección

  -. Lea el estado latente: DDR266 (2, reloj 2,5), DDR333 (2,5 reloj), DDR400 (reloj 3)

  -. Longitud de la explosión (2, 4, 8)

  -. Tipo de la explosión (secuencial y interpolación)

• Todas las entradas a menos que los datos y los DM se muestreen en el borde que va positivo del reloj de sistema (CK)

• Transacciones de la entrada-salida de los datos en ambos bordes del estroboscópico de los datos

• La salida de datos alineada borde, centra la entrada de datos alineada

• LDM, UDM para escriben enmascarar solamente (x16)

• Los DM para escriben enmascarar solamente (x4, x8)

• El auto y el uno mismo restauran

• 7.8us restauran intervalo (8K/64ms restauran)

• La explosión del máximo restaura el ciclo: 8

• paquete Pb-libre de 66pin TSOP II

• RoHS obediente

Descripción general

El K4H560438H/el K4H560838H/el K4H561638H es 268.435.456 pedazos de COPITA síncrona doble de la tarifa de datos organizada como/4x 8.388.608/4x 4.194.304 palabras 4x 16.777.216 por 4/8/16bits, fabricado con tecnología del alto rendimiento Cmos del ′ s de SAMSUNG. Las características síncronas con el estroboscópico de los datos permiten rendimiento extremadamente alto hasta 400Mb/s por el perno. Las transacciones de la entrada-salida son posibles en ambos bordes de DQS. La gama de frecuencias de funcionamiento, la longitud programable de la explosión y los estados latentes programables permiten que el dispositivo sea útil para una variedad de usos de sistema de la memoria de alto rendimiento.

Grado máximo absoluto

Nota:

El daño permanente del dispositivo puede ocurrir si se exceden los GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS.

La operación funcional se debe restringir para recomendar la condición de la operación.

La exposición al voltaje más arriba que recomendado por periodos de tiempo extendidos podía afectar a confiabilidad del dispositivo.

Dimensión física del paquete

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