TRANSISTOR BIPOLAR AISLADO transistor de la PUERTA del Mosfet del poder de GP4068D

Número de modelo:GP4068D
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:8700pcs
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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Detalles del producto

IRGP4068DPbF

IRGP4068D-EPbF


TRANSISTOR BIPOLAR AISLADO DE LA PUERTA CON EL DIODO VF ULTRA-BAJO PARA LA CALEFACCIÓN DE LA INDUCCIÓN Y LOS APLICACIONES SUAVE DE LA CONMUTACIÓN


Caracteristicas

• Tecnología de IGBT de zanja baja V (ON)

• Bajas pérdidas de conmutación

• Temperatura máxima de la conexión 175 ° C

• SOA de cortocircuito de 5 μS

• RBSOA cuadrado

• 100% de las partes probadas para corriente nominal 4X (I LM )

• Positivo V CE (ON) Coeficiente de temperatura

• Diodo Hiperfast Ultra V bajo

• Distribución de parámetros ajustada

• Paquete sin plomo


Beneficios

• Dispositivo optimizado para aplicaciones de calefacción por inducción y conmutación suave

• Alta Eficiencia gracias a Baja V CE ( encendido ) , Bajas Pérdidas de Conmutación y Ultra V Baja

• Robusto rendimiento transitorio para mayor confiabilidad

• Excelente compartición de corriente en funcionamiento paralelo

• Baja EMI


Índices absolutos máximos

ParámetroMaxUnidades
V CESTensión de colector a emisor600V
I C $ _ {T } $ C = 25 ° CCorriente continua del colector96UN
I C $ _ {T } $ C = 100 ° CCorriente continua del colector48UN
I CMCorriente del colector de impulsos192UN
LmCorriente de carga inductiva enclavada192UN
I F $ ^ { T } $ C = 160 ° CCorriente continua continua del diodo8.0UN
I FSMDiodo Corriente de pico no repetitiva @ T J = 25 ° C175UN
I FMCorriente delantera repetitiva de pico de diododieciséisUN
V GEVoltaje continuo de puerta a emisor± 20V
Tensión transitorio de puerta a emisor± 30V
P $ _ { D } $ C $ _ $ = 25 ° CDissipación máxima de energía330W
P $ _ { D } $ C = 100 ° CDissipación máxima de energía170W

T J

T STG

Rango de temperatura de la unión y el almacenamiento en funcionamiento-55 a +175DO
Temperatura de soldadura, durante 10 seg.300 (1,6 mm) del estuche)DO
Par de montaje, 6-32 o M3 Tornillo10 lbf · in (1,1 N · m)


Oferta de acciones (Venta caliente)

Nº de piezaCantidadMarcaCORRIENTE CONTINUAPaquete
FR9886SOGTR47000FITIPOWER15+SOP-8
FS225R12KE3167Infineon15+MÓDULO
FS8205A65000FORTUNA13+TSSOP-8
FSA2567MPX9570FAIRCHILD11+QFN16
Fsdh32117522FAIRCHILD16+DIP-8
FSDM0365RNB7292FAIRCHILD16+DIP-8
FSDM0565REWDTU1807FAIRCHILD15+TO-220F-6L
FSFM300N4508FAIRCHILD10+DIP-8
FSFR1700XSL4634FAIRCHILD16+ZIP-9
FSQ0565RWDTU13538FAIRCHILD11+TO-220
FT2232D2890FTDI16+LQFP-48
FT230XQ-R4455FTDI15+QFN16
FT230XS-R4107FTDI16+TSSOP-16
FT231XS-R4426FTDI16+SSOP-20
FT232BL1469FTDI16+LQFP-32
FT232RL4137FTD16+SSOP-28
FT232RQ2226FTDI13+QFN
FTOH104ZF3680Comité ejecutivo nacional13+DIP-2
FTP11N08A9728IPS14+TO-220
FTR-B3GA003Z-B1018011FUJITSU12+SMD
FW342-TL-E4035SANYO16+SOP-8
FZ600R65KF1143Infineon15+MÓDULO
FZT1053ATA48000ZETEX14+SOT-223
FZT658TA20930DIODOS15+SOT-223
G3VM-61ER6239OMRON16+SOP-6
G4A-1A-PE-12VDC11550OMRON15+INMERSIÓN
G5626P11U4731GMT12+SOP-8
G5LE-1-12VDC9699OMRON12+INMERSIÓN
G5LE-14-12VDC13715OMRON16+INMERSIÓN
G5NB-1A-E-12VDC5649OMRON14+INMERSIÓN

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TRANSISTOR BIPOLAR AISLADO transistor de la PUERTA del Mosfet del poder de GP4068D

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