Amplificador operativo dual programable de los chips CI Cmos de LMC662CM

Amplificador operativo dual de LMC662 Cmos

Descripción general

El amplificador operativo dual de LMC662 Cmos es ideal para la operación de una sola fuente. Actúa de +5V a +15V y ofrece el oscilación de la salida del carril-a-carril además de una gama del común-modo de la entrada que incluya la tierra. Las limitaciones del funcionamiento que han plagado los amplificadores del Cmos en el pasado no son un problema con este diseño. Entre VOS, deriva, y el aumento de banda ancha del ruido así como del voltaje en cargas realistas (el kΩ 2 y 600Ω) es todo igual a o los equivalentes bipolares mejor que extensamente aceptados.

Este microprocesador se construye con el proceso Doble-polivinílico avanzado de la Silicio-puerta Cmos del nacional. Vea la ficha técnica LMC660 para un amplificador operativo del patio Cmos con estas mismas características.

Características

• oscilación de la salida del Carril-a-carril
• Especificado para 2 kΩ y cargas 600Ω
• Aumento de alto voltaje: DB 126
• Voltaje compensado de la entrada baja: 3 milivoltio
• Deriva baja del voltaje de la compensación: 1,3 ΜV/˚C

• Corriente ultrabaja del prejuicio de la entrada: 2 fA
• La gama del común-modo de la entrada incluye el ^{− de} V
• Fuente del rango de operación de +5V a +15V
• ISS = 400 µA/amplifier; independiente de V+

• Distorsión baja: 0,01% en 10 kilociclos
• Tarifa de ciénaga: 1,1 V/µs
• Disponible en la gama de temperaturas extendida (−40˚C a +125˚C); ideal para los usos automotrices
• Disponible para una especificación militar estándar del dibujo

Usos

• Almacenador intermediario de alta impedancia o preamplificador
• Convertidor del actual-a-voltaje de la precisión
• Integrador a largo plazo
• Circuito de muestreo y retención
• Detector máximo
• Instrumentación médica
• Controles industriales
• Sensores automotrices

Grados máximos absolutos (nota 3)

Si los militares/el espacio aéreo especificaron los dispositivos se requieren, entran en contacto con por favor los distribuidores nacionales de la oficina de ventas del semiconductor para la disponibilidad y las especificaciones.

De entrada diferenciada del voltaje voltaje ±Supply

Voltaje de fuente (^{− de} V ⁺ del − V) 16V

Cortocircuito de la salida a V ⁺ (nota 12)

Cortocircuito de la salida al ^{− de} V (nota 1)

Temperatura de la ventaja (el soldar, sec 10.) 260˚C

Temporeros del almacenamiento. Gama −65˚C a +150˚C

El voltaje en la entrada-salida fija (V ⁺) +0.3V, (^{− de} V) −0.3V

Corriente en Pin ±18 mA de la salida

Corriente en Pin ±5 mA de la entrada

Corriente en el Pin de la fuente de alimentación 35 mA

Disipación de poder (nota 2)

Temperatura de empalme 150˚C

Tolerancia del ESD (nota 8) 1000V

Grados de funcionamiento (nota 3)

Gama de temperaturas

  LMC662AMJ/883, ≤ +125˚C del ≤ TJ de LMC662AMD −55˚C

  ≤ +85˚C del ≤ TJ de LMC662AI −40˚C

  ≤ +70˚C del ≤ TJ de LMC662C 0˚C

  ≤ +125˚C del ≤ TJ de LMC662E −40˚C

Gama 4.75V del voltaje de fuente a 15.5V

Disipación de poder (nota 10)

Resistencia termal (θJA) (nota 11)

  8-Pin INMERSIÓN de cerámica 100˚C/W

  INMERSIÓN moldeada 8-Pin 101˚C/W

  8-Pin TAN 165˚C/W

  8-Pin INMERSIÓN de cerámica soldada lateral 100˚C/W

Nota 1: Se aplica a la solo-fuente y a la operación de la fractura-fuente. La operación continua del cortocircuito en la temperatura ambiente elevada y/o los pantalones cortos de Op. Sys. múltiples del amperio pueden dar lugar a exceder la temperatura de empalme permitida máximo de las corrientes de salida 150˚C. superior a ±30 mA sobre largo plazo pueden afectar al contrario a confiabilidad.

Nota 2: La disipación de poder máxima es una función de TJ (máximo), del θJA, y de TA. La disipación de poder máxima permitida en cualquier temperatura ambiente es paladio = (TJ (máximo) – TA)/θJA.

Nota 3: Los grados máximos absolutos indican los límites más allá de los cuales el daño al dispositivo puede ocurrir. Los grados de funcionamiento indican las condiciones para las cuales el dispositivo se piensa para ser funcional, pero no garantizan límites de funcionamiento específico. Para las especificaciones y las condiciones de prueba garantizadas, vea las características eléctricas. Las especificaciones garantizadas solicitan solamente las condiciones de prueba enumeradas.

Nota 4: Los valores típicos representan la norma paramétrica más probable. Los límites son garantizados por la prueba o la correlación.

Nota 5: V+ = 15V, el VCM = 7.5V y RL conectaron con 7.5V. Para la compra de componentes prueba, el ≤ 11.5V del Vo del ≤ 7.5V. Para las pruebas de hundimiento, ≤ 7.5V del Vo del ≤ 2.5V.

Nota 6: V+ = 15V. Conectado como seguidor del voltaje con la entrada de paso 10V. El número especificado es el más lento de las tarifas de ciénaga positivas y negativas.

Nota 7: Entrada referida. V+ = 15V y RL = kΩ 10 conectado con V+/2. Cada amperio emocionado a su vez con 1 kilociclo para producir Vo = 13 VPP.

Nota 8: Modelo del cuerpo humano, kΩ 1,5 en serie con 100 PF.

Nota 9: Un militar ENRÍA la especificación de prueba eléctrica está disponible a petición. A la hora de la impresión, el LMC662AMJ/883 ENRÍA espec. cumplió completamente con los límites negrita en esta columna. El LMC662AMJ/883 se puede también procurar a una especificación militar estándar del dibujo.

Nota 10: Para actuar en las temperaturas elevadas que el dispositivo debe ser reducido la capacidad normal basó en el θJA de la resistencia termal con paladio = (TJ-TA)/θJA.

Nota 11: Todos los números solicitan los paquetes soldados directamente en un tablero de PC.

Nota 12: No conecte la salida con V+ cuando V+ es mayor que 13V o la confiabilidad puede ser afectada al contrario

Diagrama de conexión

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