Ω del CANAL N 600V 0,19 del transistor STW21NM60N del Mosfet del poder de la SEGUNDA GENERACIÓN - 17 A

Ω del CANAL N 600V 0,19 de STW21NM60N - MOSFET de la GENERACIÓN de 17 A SEGUNDA

Características generales

AVALANCHA 100% DEL ■ PROBADA

CAPACITANCIA DE LA ENTRADA DEL ■ Y CARGA BAJAS DE LA PUERTA

RESISTENCIA DE ENTRADA BAJA DE PUERTA DEL ■

DESCRIPCIÓN

El STx21NM60N se observa con la segunda generación. Este MOSFET revolucionario asocia una nueva estructura vertical a la disposición de la tira de la compañía para rendir uno de la carga más baja de la en-resistencia y de la puerta del mundo. Es por lo tanto conveniente para los convertidores más exigentes de la eficacia alta

USOS  

Es muy conveniente para la densidad de poder cada vez mayor de convertidores de alto voltaje permitiendo la miniaturización del sistema y eficacias más altas.

Cuadro 2: Códigos de orden

Cuadro 3: Grados máximos absolutos

() Anchura de pulso limitada por área de funcionamiento seguro

(*) limitado solamente por la temperatura máxima permitida

(1) ≤ 16 A, ≤ 400 A/µs, el VDD=80% V (BR) DSS de la DSI de di/dt

Cuadro 4: Datos termales

Cuadro 5: Características de la avalancha

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