Memoria Flash serial página-borrable de M25PE80-VMN6P 8-Mbit con el autobús del megaciclo SPI de la alterabilidad 75 del byte

M25PE80-VMN6P 8-Mbit, memoria Flash serial página-borrable con la alterabilidad del byte, autobús de 75 megaciclos SPI, pinout estándar

Características

Interfaz en serie compatible del autobús de SPI

memoria Flash página-borrable 8-Mbit

Tamaño de página: 256 bytes – la página escriba en el ms 11 (típico) – paginan programa en 0,8 ms (típicos) – paginan borrado en el ms 10 (típico)

Borrado del subsector (4 kilobytes)

Borrado del sector (64 kilobytes)

Borrado a granel (8 Mbits)

2,7 V a 3,6 V escogen voltaje de fuente

Tarifa de reloj de 75 megaciclos (máximo)

ΜA profundo del modo 1 del poder-abajo (típico)

Firma electrónica – firma de dos bytes estándar de JEDEC (8014h) – código de ID exclusivo (UID) con 16 bytes de inalterable, disponible por requerimiento del cliente solamente en el proceso de T9HX

El software escribe la protección en una base del sector 64-Kbyte

El hardware escribe la protección de la zona de memoria seleccionada usando los pedazos BP0, BP1 y BP2

Más de 100 000 escriben ciclos

Más de 20 años de retención de los datos

Paquetes – ECOPACK® (RoHS obediente)

Descripción

El M25PE80 es un 8-Mbit (1 serial del Mb ×8) paginó memoria Flash alcanzada por un autobús SPI-compatible de alta velocidad. La memoria se puede escribir o los 1 a 256 bytes programados a la vez, usando la página escriba o pagine la instrucción de programa. La página escribe la instrucción consiste en un ciclo integrado del borrado de la página seguido por un ciclo de programa de la página. La memoria se organiza como 16 sectores que se dividan más a fondo para arriba en 16 subsectores cada uno (256 subsectores en total). Cada sector contiene 256 páginas y cada subsector contiene 16 páginas. Cada página es el byte 256 de par en par. Así, la memoria entera se puede ver como consistir en 4096 páginas, o 1 048 576 bytes. La memoria se puede borrar una página a la vez, usando la instrucción del borrado de la página, un subsector a la vez, usando la instrucción del borrado del subsector, un sector a la vez, usando la instrucción del borrado del sector, o en conjunto, usando la instrucción a granel del borrado. La memoria puede ser escribe - protegido por el soporte físico o el software usando una mezcla de características de protección volátiles y permanentes, dependiendo de las necesidades del uso. La granulosidad de la protección está de 64 kilobytes (granulosidad del sector).

Nota importante

Esta ficha técnica detalla la función de los dispositivos M25PE80, sobre la base del proceso anterior de T7Y o basado en el proceso actual de T9HX (disponible desde junio de 2007). La entrega de las piezas que actúan con un índice de reloj máximo de 75 megaciclos empieza con la semana 8 de 2008.

¿Cuáles son los cambios?

El M25PE80 en proceso de T9HX ofrece las características adicionales siguientes:

el arsenal entero de la memoria se divide en los subsectores 4-Kbyte

 dos nuevas instrucciones: escriba el registro de la situación (WRSR) y el borrado del subsector 4-Kbyte (SSE)

Registro de la situación: 4 pedazos pueden ser escritos (BP0, BP1, BP2, SRWD)

Entrada del WP (perno 3): escriba los límites de la protección es extendido, dependiendo del valor del BP0, BP1, BP2, pedazos de SRWD. Los WP escriben la protección siguen siendo lo mismo si los pedazos (BP2, BP1, BP0) se fijan a (0, 0, 1)

 más pequeño muere el tamaño permitiendo a la asamblea en un paquete de SO8N.

Característica suprimida:

La protección de la escritura (definida por los pedazos de la cerradura del WL y del LD) de los subsectores 4-Kbyte en los sectores del top y de la parte inferior se ofrece no más. Para más detalles satisfaga refieren a PCNMPG062148.

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