Tipo MOSFET del MOS del canal del silicio P del transistor del Mosfet del poder del efecto de campo TPC8111 del poder de HEXFET

Número de modelo:TPC8111
Lugar del origen:Taiwan
Cantidad de orden mínima:5pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:580pcs
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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Tipo MOSFET del MOS del canal del silicio P del transistor de efecto de campo TPC8111 del poder de HEXFET

Usos de la batería de ión de litio

Usos de la PC del cuaderno

Usos portátiles del equipo

 

 

 

• Pequeña huella debido al paquete pequeño y fino

• Dren-fuente baja EN resistencia: MΩ 8,1 del RDS (ENCENDIDO) = (tipo.)

• Alta entrada de transferencia delantera: |Yfs| = 23 S (tipo.)

• Corriente baja de la salida: ΜA IDSS = −10 (máximo) (VDS = −30 V)

• Aumento-modo: Vth = −0.8 a −2.0 V (VDS = −10 V, identificación = −1 mA)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Nota: Para (nota 1), (nota 2), (nota 3) y (la nota 4), refiere por favor a la página siguiente. Este transistor es un dispositivo sensible electrostático. Dirija por favor con cautela

 

 

 

 

Grados máximos (TA = 25°C)

Características SímboloClasificación Unidad
voltaje de la Dren-fuente VDSS −30V
voltaje de la Dren-puerta (RGS = kΩ 20) VDGR −30V
voltaje de la Puerta-fuente VGSS ±20 V
Drene la disipación de poder (t = 10 s)Paladio 1,9 W
Drene la disipación de poder (t = 10 s)Paladio 1,0  W
Escoja la energía de la avalancha del pulsoEAS 31,5 mJ
Corriente de la avalancha IAR −11A
Energía repetidor de la avalanchaOÍDO0,19mJ
Temperatura del canal Tch 150°C

 

 

 

 

LISTA COMÚN 

HMHAA280R11520FAIRCHILD16+SOP-4
LQH55PN100MROL6782MURATA16+SMD
MSS1260-683MLD6890COILCRAFT16+SMD
TSL1112RA-102JR50-PF10000TDK14+INMERSIÓN
MJE340G10000EN16+TO-126
BD139-165500ST16+TO-126
BD140-165500ST15+TO-126
2SC26253000FUJI15+TO-3P
TR600-15038000TYCO16+INMERSIÓN
A1324LUA-T3420ALLEGRO15+SIP-3
LVR040K38000RAYCHEM/T16+INMERSIÓN
LVR025S38000RAYCHEM/T16+INMERSIÓN
MF-R01038000BOURNS16+INMERSIÓN
MF-R01725000BOURNS16+INMERSIÓN
BFR96TS5000VISHAY15+TO-50
M28S20000UTC10+TO-92
MF-R04040000BOURNS14+INMERSIÓN
LVR040S38000RAYCHEM/T16+INMERSIÓN
LVR075S5063RAYCHEM/T16+INMERSIÓN
MF-R60010000BOURNS16+INMERSIÓN
MF-R09038000BOURNS16+INMERSIÓN
PKM13EPYH4000-AO5000NURATA10+INMERSIÓN
DE1E3KX102MJ5BA01900MURATA15+INMERSIÓN
LVR01238000TYCO16+INMERSIÓN
CS10243750ZX15+TO-92S
20D151K3000ZOV16+INMERSIÓN
LPD6803S30000LPD15+SOP-16
MICROSMD005F-225000TYCO16+SMD
BLM21BD601SN1D8000MURATA15+SMD
BLM21AG01SN1D8000MURATA15+SMD
AT24C02D-SSHM-T4000ATMEL15+SOP-8
VESD05A1B-02Z-GS0840000VISHAY15+SOD-923
AT24C02BN-SH-T4000ATMEL15+SOP-8
MICROSMD050F-225000TYCO16+SMD
NDT295516800FAIRCHILD14+SOT-223
AY1112H-TR8000STANLEY09+SMD
NFM3DCC223R1H3L938000MURATA16+SMD
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Tipo MOSFET del MOS del canal del silicio P del transistor del Mosfet del poder del efecto de campo TPC8111 del poder de HEXFET

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