Transistor de efecto de campo del mosfet ic del poder del MOSFET del canal N de SSS7N60B 600V

Transistor de efecto de campo del mosfet ic del poder del MOSFET del canal N de SSS7N60B 600V

Características

• 7.0A, 600V, RDS (encendido) = 1.2Ω @VGS = 10 V

• Carga baja de la puerta (38 típicos nC)

• Crss bajo (23 típicos PF)

• Transferencia rápida

• avalancha 100% probada

• Capacidad mejorada de dv/dt

• Aislamiento del paquete de TO-220F = 4.0kV (nota 6)

La descripción general estos transistores de efecto de campo del poder del modo del aumento del canal N se produce usando Fairchild propietaria, planar, tecnología de DMOS.

Esta tecnología avanzada se ha adaptado especialmente para minimizar resistencia del en-estado, para proporcionar funcionamiento superior de la transferencia, y para soportar pulso de la alta energía en el modo de la avalancha y de la conmutación. Estos dispositivos están bien adaptados para las fuentes de alimentación del modo del interruptor de la eficacia alta.

LISTA COMÚN 

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