MOSFET del canal N del módulo del diodo del tiristor del módulo de poder del Mosfet IXFN38N100Q2

Número de modelo:IXFN38N100Q2
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:6000pcs
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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IXFN38N100Q2

HiPerFETTM acciona el MOSFET

 

La avalancha del modo del aumento del canal N valoró, Q bajog, lo intrínseco bajo Rg alto dV/dt, t bajorr

 

VDSS = 1000 V

ID25 = 38 A

RDS(encendido) = 0,25 Ω

≤ 300 ns de trr

 

           

 

Características

• Proceso doble del metal para la resistencia baja de la puerta

• miniBLOC, con el aislamiento del nitruro de aluminio

• (UIS) que cambiaba inductivo Unclamped valoró

• Inductancia baja del paquete

• Rectificador intrínseco rápido

 

Usos

• Convertidores de DC-DC

• fuentes del Cambiar-modo y de alimentación del resonante-modo

• Interruptores de DC

• Generadores de pulso

 

Ventajas

• Fácil montar

• Ahorros de espacio

• Densidad de poder más elevado

 

Grados máximos

SímboloCondiciones de pruebaMÁXIMO.UNIDAD
VDSSTJ = 25°C a 150°C1000V
VDGRTJ = 25°C a 150°C; RGS = 1 MΩ1000V
VGSContinuo±30V
VG/MTransitorio±40V
ID25TC = 25°C38A
IDMTC = 25°C, anchura de pulso limitada por TJM152A
IARTC = 25°C38A
EARTC = 25°C60mJ
ECOMOTC = 25°C5,0J
dv/dt

I ≤ IDM, ≤ 100 A/µs, ≤ VDSSdeS de di/dt de laDDde V

≤ 150°C, R de TJG = Ω 2

20V/ns
PDTC = 25°C890W
TJ -55… +150°C
TJM 150°C
Stgde T -55… +150°C
VAISLADOR50/60 herzios, RMS, t = 1 minuto2500V
Md

Esfuerzo de torsión del montaje

Esfuerzo de torsión de la conexión terminal

1.5/13

1.5/13

Nm/lb.in.

Nm/lb.in.

 

 

 

 

Oferta común (venta caliente)

Número de parte.CantidadMarcaD/CPaquete
SN74HC00DR4211TI15+SOP14
NDS9956A4215FAIRCHILD16+SOP8
MC33202DR2G4227EN16+SOP8
ICE2B2654250 14+DIP-8
SS32-E3/57T4250VISHAY14+DO214
SI38674258VISHAY14+SOT-163
APM49534275APM16+SOP8
LM1117MPX-5.04288NS16+SOT223
3224W-1-103E4300BOURNS13+SMD
TNY276GN4300PODER15+SOP-7
MIC5235-1.8YM54300MICREL16+SOT23-5
HCF4052BEY4399ST16+INMERSIÓN
M82C51A-24400OKI14+INMERSIÓN
MUR1620CTRG4400EN14+TO-220
IRF73294412IR14+SOP-8
HSMP-38164433AVAGO16+SOT153
SMDJ54CA4440LITTELFUS16+SMD
GP1A51HR4444AGUDO13+DIP-4
P2804BDG4444NIKO15+TO252
AP9962GH4450AP16+TO-252
AD1955ARSZ4457ANUNCIO16+SSOP-28
AMS1083CT-3.34470AMS14+TO-220
1N4747A4500ST14+DO-41
FDB8447L4500FSC14+TO-263
INA118P4500TI16+DIP-8
IRFR9024NTRPBF4500IR16+TO-252
NL17SZ064500EN13+SOT553
Q6040K74500LITTELFUS15+TO-3P
STM83244500SAMHOP16+SOP8
TDA20504500ST16+CREMALLERA

 

 

 

 

China MOSFET del canal N del módulo del diodo del tiristor del módulo de poder del Mosfet IXFN38N100Q2 supplier

MOSFET del canal N del módulo del diodo del tiristor del módulo de poder del Mosfet IXFN38N100Q2

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