Mosfet ic del poder del MOSFET del P-canal del transistor del Mosfet del poder de IRFP9240PBF

IRFP9240, SiHFP9240

MOSFET del poder

CARACTERÍSTICAS                                               

• Grado dinámico de dV/dt

• Avalancha repetidor clasificada

• P-canal

• Agujero de montaje central aislado

• Transferencia rápida

• Facilidad de ser paralelo a

• Requisitos simples de la impulsión

• Ventaja (Pb) - disponible libre

RESUMEN DEL PRODUCTO

DESCRIPCIÓN

Los MOSFETs del poder de la tercera generación de Vishay proveen del diseñador la mejor combinación de transferencia rápida, de diseño construido sólidamente del dispositivo, de en-resistencia baja y de rentabilidad.

El paquete TO-247 se prefiere para los usos comercial-industriales donde los niveles de mayor potencia impiden el uso de los dispositivos TO-220. El TO-247 es similar pero superior al paquete anterior TO-218 debido a su agujero de montaje aislado. También proporciona mayor distancia de contorneamiento entre los pernos para cumplir los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS T_C = °C 25, a menos que se indicare en forma diferente

Notas

a. Grado repetidor; anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima (véase fig. 11).

b. V_DD = - 50 V, comenzando T_J = 25 °C, L = 8,2 Mh, R_G = 25 Ω, I_COMO = - 12 A (véase fig. 12).

c. I ≤ del_SD - 12 A, ≤ 150 A/µs, ≤ V_DS, ≤ 150 °C. de dI/dt_de la_DD de V de T_J.

d. 1,6 milímetros del caso.

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