Fuente del chip CI de AD820AN sola, carril para cercar la FET-entrada amperio de Op. Sys. de la energía baja con barandilla

Escoja la fuente, carril para cercar la FET-entrada amperio de Op. Sys. AD820 de la energía baja con barandilla

CARACTERÍSTICAS

Verdad escoja la operación de la fuente

    La salida balancea el Carril-a-carril

    La gama de voltaje de entrada extiende bajo tierra

    Escoja la capacidad de la fuente a partir de +3 V a +36 V

    Se dobla la capacidad de la fuente a partir de 61,5 V a 618 V

Impulsión excelente de la carga

    Impulsión capacitiva de la carga para arriba a 350 PF

    Corriente de salida mínima de 15 mA

Funcionamiento excelente de la CA para la energía baja

    corriente quieta máxima de 800 mA

    Ancho de banda de la ganancia unitaria: 1,8 megaciclos

    Índice de ciénaga de 3,0 V/ms

Funcionamiento excelente de DC

    voltaje compensado de la entrada máxima de 800 milivoltio

    1 tipo deriva compensada de mV/8C del voltaje

    corriente máxima del prejuicio de la entrada del PA 25

De poco ruido

    13 nV/√Hz @ 10 kilociclos

USOS

Instrumentación con pilas de la precisión

Preamplificación del fotodiodo

Filtros activos

12- a los sistemas de adquisición de datos 14-Bit

Instrumentación médica

Referencias y reguladores de la energía baja

DIAGRAMAS DE CONEXIÓN

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

El AD820 es una precisión, FET de la energía baja entrado el amperio de Op. Sys. que puede actuar desde una sola fuente de +3,0 V a 36 V, o doblarse las fuentes de ±1.5 V a ±18 V. Tiene verdad escoger la capacidad con una gama de voltaje de entrada que extiende debajo del carril negativo, de la fuente CORRIENTES DIAGONALES ENTRADAS 50 0 10 15 5 1 10 0 30 20 25 35 40 45 2 3 4 5 6 7 8 9 – NÚMERO del PA del cuadro 1. distribución típica de UNIDADES de corriente del prejuicio de la entrada permitiendo que el AD820 acomode señales de entrada bajo tierra en el solo modo de la fuente. El oscilación del voltaje de salida extiende a dentro 10 milivoltio de cada carril que proporciona el rango dinámico de la salida máxima.

El voltaje compensado de la deriva máxima, compensada del µV 800 del voltaje de 1 ΜV/°C, del tipo corrientes del prejuicio de la entrada debajo de PA 25 y del ruido bajo del voltaje de entrada provee de la precisión de la C.C. impedancias de la fuente hasta un Gigaohm. Ancho de banda de la ganancia unitaria de 1,8 megaciclos, – 93 la tarifa del DB THD en 10 kilociclos y de ciénaga de 3 V/µs se proporciona para una corriente baja de la fuente del µA 800. El AD820 conduce para arriba a 350 PF de la carga capacitiva directa y proporciona una corriente de salida mínima de 15 mA. Esto permite que el amplificador maneje una amplia gama de condiciones de carga. Esta combinación de funcionamiento de la CA y de la C.C., más la capacidad de impulsión excepcional de la carga, da lugar a un amplificador excepcionalmente versátil para el solo usuario de la fuente.

El AD820 está disponible en tres grados del funcionamiento. Los grados de A y de B son clasificados sobre la gama de temperaturas industrial de – 40°C a +85°C. allí es el grado- AD820A-3V de 3 V, clasificado sobre la gama de temperaturas industrial.

El AD820 se ofrece en dos variedades de paquete de 8 ventajas: INMERSIÓN plástica, y soporte superficial (SOIC).

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS¹

Voltaje de fuente…………………………. ±18 V

Disipación de poder interna²

    INMERSIÓN plástica (n)……………………. 1,6 vatios

    SOIC (r)…………………………. 1,0 vatios

Voltaje de entrada…………. (+VS + 0,2 V) a – (20 V + CONTRA)

Duración del cortocircuito de la salida……………. Indefinido

Voltaje de entrada diferenciada…………………. ±30 V

Gama de temperaturas de almacenamiento (n)……… – 65°C a +125°C

Gama de temperaturas de almacenamiento (r)……… – 65°C a +150°C

Gama de temperaturas de funcionamiento

    AD820A/B.…………………… – 40°C a +85°C

Gama de temperaturas de la ventaja

    (Sec que suelda 60)……………………. +260°C

NOTAS

Las tensiones 1 sobre ésas enumeradas bajo grados máximos absolutos pueden causar daño permanente al dispositivo. Esto es una tensión que valora solamente; la operación funcional del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones sobre ésos indicados en la sección operativa de esta especificación no se implica. La exposición a las condiciones del grado máximo absoluto por períodos extendidos puede afectar a confiabilidad del dispositivo.

paquete plástico de la INMERSIÓN 2 8-Lead: θ_JA = 90°C/Watt

    paquete de 8-Lead SOIC: θ_JA = 160°C/Watt

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