Carril del chip CI de LMC6462BIM para cercar el amplificador operativo de entrada con barandilla y de la salida Cmos

Patio de LMC6462 Dual/LMC6464

Microfuerza, entrada del Carril-a-carril y amplificador operativo de la salida Cmos

Descripción general

El LMC6462/4 es una versión de la microfuerza del LMC6482/4 popular, combinando la gama de entrada del Carril-a-carril y de la salida con mismo el bajo consumo de energía.

El LMC6462/4 proporciona una gama del voltaje del común-modo de la entrada que exceda ambos carriles. El oscilación de la salida del carril-a-carril del amplificador, garantizado para carga abajo al kΩ 25, asegura la gama sigal dinámica máxima. Este funcionamiento del carril-a-carril del amplificador, combinado con su aumento de alto voltaje hace único entre los amplificadores del carril-a-carril. El LMC6462/4 es una mejora excelente para los circuitos usando los amplificadores limitados de la gama del común-modo.

El LMC6462/4, con especificaciones garantizadas en 3V y 5V, está especialmente bien adaptado para los usos de la baja tensión. Un consumo de energía quieto del µW 60 por el amplificador (en CONTRA = 3V) puede ampliar la vida útil de sistemas con pilas. La corriente de entrada del fA del amplificador 150, el voltaje bajo de la compensación de 0,25 milivoltios, y 85 el DB CMRR mantienen exactitud en sistemas con pilas.

Características

(Típico a menos que se indicare en forma diferente)

• Corriente ultrabaja 20 µA/Amplifier de la fuente

• Características garantizadas en 3V y 5V

• Gama del voltaje del Común-modo de la entrada del Carril-a-carril

• Oscilación de la salida del Carril-a-carril (dentro de 10 milivoltio del carril, CONTRA = 5V y RL = kΩ 25)

• Corriente de entrada baja 150 fA

• Voltaje compensado de la entrada baja 0,25 milivoltios

Usos

• Circuitos con pilas

• Circuitos de interfaz del transductor

• Dispositivos de comunicación portátiles

• Usos médicos

• Supervisión de la batería

Grados máximos absolutos (nota 1)

Si los militares/el espacio aéreo especificaron los dispositivos se requieren, entran en contacto con por favor los distribuidores nacionales de la oficina de ventas del semiconductor para la disponibilidad y las especificaciones.

Tolerancia del ESD (nota 2) 2,0 kilovoltios

De entrada diferenciada del voltaje voltaje ±Supply

Voltaje en Pin de la entrada-salida (V+) + 0.3V, − 0.3V (de V−)

Voltaje de fuente (− V−) 16V de V+

Corriente en Pin de la entrada (nota 12) ±5 mA

Corriente en Pin de la salida (notas 3, 8) ±30 mA

Corriente en el Pin de la fuente de alimentación 40 mA

Temporeros de la ventaja. (El soldar, sec 10.) 260˚C

Gama de temperaturas −65˚C de almacenamiento a +150˚C

Temperatura de empalme (nota 4) 150˚C

Grados de funcionamiento (nota 1)

≤ 15.5V del ≤ V+ del voltaje de fuente 3.0V

Gama de temperaturas de empalme

    LMC6462AM, ≤ +125˚C del ≤ TJ de LMC6464AM −55˚C

    LMC6462AI, ≤ +85˚C del ≤ TJ de LMC6464AI −40˚C

    LMC6462BI, ≤ +85˚C del ≤ TJ de LMC6464BI −40˚C

Resistencia termal (θJA)

    Paquete de N, INMERSIÓN moldeada 8-Pin 115˚C/W

    Paquete de M, soporte 193˚C/W de la superficie 8-Pin

    Paquete de N, INMERSIÓN moldeada 14-Pin 81˚C/W

    Paquete de M, soporte 126˚C/W de la superficie 14-Pin

Nota 1: Losgradosmáximosabsolutosindicanloslímitesmás alládelos cualeseldañoaldispositivopuedeocurrir. Losgradosdefuncionamientoindicanlascondicionesparalas cualeseldispositivose piensapara serfuncional, peroelfuncionamientoespecíficono se garantiza. Paralasespecificacionesgarantizadasylascondicionesdeprueba, vealascaracterísticaseléctricas.

Nota 2: Modelodelcuerpohumano, kΩ1,5en seriecon100PF. Todofijaclasificadoporelmétodo3015,6deMIL-STD-883. Ésteesunclasificacióndeldispositivode laclase2.

Nota 3: Se aplicaaescogenlaoperaciónde lafuenteyde la fractura-fuente. Laoperacióncontinuadelcortocircuitoenlatemperaturaambienteelevadapuededar lugaraexcederlatemperaturadeempalmepermitidamáximode lascorrientesdesalida150˚C.superiora±30mAsobrelargo plazopuedeafectaral contrarioaconfiabilidad.

Nota 4: LadisipacióndepodermáximaesunafuncióndeTJ(máximo), delθJA, ydeTA. Ladisipacióndepodermáxima permitidaencualquiertemperaturaambienteespaladio=el−(máximo)TA(deTJ)/θJA. Todos losnúmerossolicitanlospaquetessoldadosdirectamenteenuntablerodePC.

Nota 5: Losvalorestípicosrepresentanlanormaparamétricamás probable.

Nota 6: Todos loslímitesson garantizadosporlapruebaoelanálisisestadístico.

Nota 7: V+=15V, elVCM=7.5VyRLconectaroncon7.5V. Paralacompra de componentesprueba, el≤11.5VdelVodel≤7.5V. Paralaspruebasdehundimiento,≤7.5VdelVodel≤3.5V.

Nota 8: No cortocircuitelasalidaaV+, cuandoV+esmayorque13Volaconfiabilidadserá afectadoal contrario.

Nota 9: V+=15V. Conectadocomoseguidordelvoltajeconlaentradadepaso10V. Elnúmeroespecificadoeselmás lentode lastarifasdeciénagapositivasonegativas.

Nota 10: Laentradase refirió, V+=15VyRL=elkΩ100conectadocon7.5V. Cadaamperioemocionadoa su vezcon1kilociclopara producirVo=12VPP.

Nota 11: Conectadocomoseguidordelvoltajeconlaentradadepaso2V. Elnúmeroespecificadoeselmás lentode lastarifasdeciénagapositivasonegativas.

Nota 12: Lalimitaciónde lacorrientedelpernode laentradaessolamentenecesariaparalosvoltajesdeentradaqueexcedengradosmáximosabsolutosdelvoltajedeentrada.

Nota 13: Loslímitesgarantizadosson dictadosporlimitacionesdelprobadorynofuncionamientodeldispositivo. Elfuncionamientorealse reflejaenelvalortípico.

Nota 14: Paralagamade temperaturasmilitargarantizadalosparámetrosconsideranRETSMC6462/4X.

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