MOSFET rápido IRFP260NPBF del poder de la transferencia del transistor del Mosfet del poder 200A

Número de modelo:IRFP260NPBF
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:9200pcs
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

MOSFET de potencia de IRFP260NPbF HEXFET®


• Tecnología avanzada de procesos

• Valor dinámico dv / dt

• 175 ° C Temperatura de funcionamiento

• Cambio rápido

• Totalmente Avalanada

• Facilidad de Paralelismo

• Requisitos de unidad sencilla

• Sin plomo


Descripción

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo que los MOSFET de la energía de HEXFET son bien conocidos para, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una gran variedad de aplicaciones.


El paquete TO-247 es preferible para aplicaciones industriales comerciales donde los niveles de potencia más altos impiden el uso de dispositivos TO-220. El TO-247 es similar pero superior al anterior paquete TO-218 debido a su agujero de montaje aislado.



Índices absolutos máximos

ParámetroMax.Unidades
I D ^ {T} C = 25 ° CCorriente de drenaje continua, V GS @ 10V50UN
I _ { D} _ {T} C = 100ºCCorriente de drenaje continua, V GS @ 10V35UN
Yo amoCorriente de drenaje pulsado200UN
P $ _ { D} $ C $ _ $ = 25 ° CDisipación de potencia300UN
Factor Derating Lineal2,0BAÑO
V GSVoltaje puerta a fuente± 20V
E ASEnergía de la avalancha del solo pulso560Mj
Yo arCorriente de avalancha50UN
EAREnergía de Avalanche Repetitiva30Mj
Dv dtRecuperación del diodo máximo dv / dt10V / ns
T J, T STGRango de temperatura de la unión y el almacenamiento-55 a +175DO
Temperatura de soldadura, durante 10 segundos300 (1.6mm del caso)DO
Par de montaje, 6-32 o M3 srew10 lbfïin (1.1Ním)

Oferta de acciones (Venta caliente)

Nº de piezaCantidadMarcaCORRIENTE CONTINUAPaquete
LM2662MX5344TI16+SOP-8
LM2663M6856NS16+SOP-8
LM2675MX-5.05274TI16+SOP-8
LM2675MX-ADJ5415TI15+SOP-8
LM2734YMK12799TI16+SOT23-6
LM2767M5X6927NSC16+SOT23-5
LM2825N-ADJ1525NSC06+DIP-24
LM2842YMK-ADJL4655TI16+SOT23-6
LM285MX-1.25929NS16+SOP-8
LM2901DR2G104000EN13+COMPENSACIÓN
LM2902DR2G77000EN15+COMPENSACIÓN
LM2903DR2G107000EN15+COMPENSACIÓN
LM2903IMX13191FSC11+SOP-8
LM2904DR2G82000EN16+SOP-8
LM2904MX11700NS15+SOP-8
LM2904P20000TI16+TSSOP-8
LM2904QPWRQ16065TI14+TSSOP-8
LM2907N-88781NS97+DIP-8
LM2917N-86580NS13+DIP-8
LM2931AD-5.0R2G19723EN16+SOP-8
LM2931CDR2G14829EN16+SOP-8
LM2931CDR2G10000EN15+SOP-8
LM2936MPX-3.39351TI14+SOT-223
LM2936Z-5.03406NS05+TO-92
LM2937ESX-3.39135NSC07+TO-263
LM2937IMPX-3.31862TI16+SOT-223
LM2940CSX-5.08095NS14+TO-263
LM2940S-5.010367NS16+TO-263
LM2940SX-5.08852NS15+TO-263
LM2941CT5900NS00+TO-220

China MOSFET rápido IRFP260NPBF del poder de la transferencia del transistor del Mosfet del poder 200A supplier

MOSFET rápido IRFP260NPBF del poder de la transferencia del transistor del Mosfet del poder 200A

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