Amplificador bipolar MMIC del silicio Cascadable del microprocesador del circuito integrado INA-03184

Número de modelo:INA-03184
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:8200PCS
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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Detalles del producto

 

Amplificador bipolar MMIC INA-03184 del silicio de poco ruido, Cascadable

 

Características

• Bloque Cascadable del aumento de 50 Ω

• Figura de poco ruido: DB 2,6 típico en 1,5 gigahertz

• Alta ganancia: DB 25 típico en 1,5 gigahertz

• ancho de banda del DB 3: DC a 2,5 gigahertz

• Incondicional establo (k>1)

• Disipación de energía baja: prejuicio de 10 mA

• Paquete del plástico del bajo costo

 
Descripción
El INA-03184 es una configuración que perjudica típica Cblock Cbypass1 Cblock (opcional) Rbias VCC Vd de (MMIC) del silicio del circuito integrado monolítico bipolar de poco ruido de la microonda = 4,0 V RFC (nominal) RF (opcional) EN EL RF HACIA FUERA nota 4 1 2 3: 1. VSWR puede ser mejorado puenteando un resistor diagonal del Ω 100-120 directamente para moler. Vea AN-S012: Amplificadores de poco ruido. amplificador de reacción contenido en un paquete del plástico del soporte de la superficie del bajo costo. Se diseña para los usos comerciales e industriales del ancho de banda estrecho o amplio que requieren alta ganancia y de poco ruido SI o amplificación del RF con el consumo de energía mínimo.

 

La serie de INA de MMICs se fabrica usando los 10 gigahertz pie, 25␣ gigahertz f max, el proceso bipolar de HP del silicio de ISOSAT™-I que utiliza la uno mismo-alineación del nitruro, la litografía del submicrometer, el aislamiento del foso, la implantación de ion, la metalización del oro y protección intermetal del dieléctrico y del rasguño del polyimide para alcanzar excelente rendimiento, uniformidad y confiabilidad.

 

 

Configuración que perjudica típica

Nota: 1. VSWR puede ser mejorado puenteando un resistor diagonal del Ω 100-120 directamente para moler. Vea AN-S012: Amplificadores de poco ruido.

 

Paquete de 84 plásticos

 

Grados máximos absolutos

ParámetroMáximo absoluto[1]
Corriente del dispositivo25 mA
Disipación de poder[2]200 mW
Energía de entrada del RFdBm +13
Temperatura de empalme150°C
Temperatura de almacenamiento– 65 a 150°C

Notas:

1. El daño permanente puede ocurrir si se exceden ninguno de estos límites.

2. Reduzca la capacidad normal en 10 mW/°C para TC > 130°C.

 

 

 

 

Almacene la oferta (la venta caliente)

Número de parte.CantidadMarcaD/CPaquete
L6599D6828ST13+SOP-16
L7805ABP12978ST11+TO-220F
L7812CV60000STM14+TO-220
L78L33ACUTR38000ST15+SOT-89
L78M05CDT98000ST16+TO-252
L78M08ABDT-TR14698ST16+SOT-252
L78M12CDT101000ST13+TO-252
L78S05CV11629ST16+TO-220
L78S12CV4245ST16+TO-220
L7985ATR13028STM15+HSOP-8
L9407F3184ST15+CREMALLERA
L9637D013TR1520ST15+COMPENSACIÓN
L9826TR3101ST12+SOP-20
LA44403580SANYO13+ZIP-14
LA7804015692SANYO14+TO-220
LA7804114769SANYO15+TO-220
LA7804516047SANYO13+TO-220-7
LAN83C185-JT2746SMSC16+QFP64
LAN8710A-EZK-TR5987SMSC13+QFN32
LAN8710AI-EZK-TR15547SMSC14+QFN
LAN8720A-CP-TR4876MICROCHIP16+QFN24
LAN9115-MT7959MICROCHIP09+QFP
LCDA05.TBT7787SEMTECH11+SOP-8
LCMXO640C-3TN100C4897ENREJADO12+TQFP100
LCMZO640C-4TN100C1113ENREJADO16+QFP100
LCP02-150B1RL6643ST16+SOP-8
LD1086D2M33TR4316ST14+TO-263
LD1086V336714ST08+TO-220
LD1117ADT18TR51000ST15+TO-252
LD1117S18TR101000ST11+SOT-223

 

 

 

 

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Amplificador bipolar MMIC del silicio Cascadable del microprocesador del circuito integrado INA-03184

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