Módulo P dual - canal, MOSFET del Mosfet del poder FDS6975 de PowerTrenchTM

FDS6975 se doblan P-canal, nivel de la lógica, MOSFET^de PowerTrench^TM

Descripción general

Éstos los MOSFETs del nivel de la lógica del P-canal se producen usando el proceso avanzado de PowerTrench del semiconductor de Fairchild que se ha adaptado especialmente para minimizar la resistencia del en-estado pero mantener la carga baja de la puerta para el funcionamiento superior de la transferencia.

Estos dispositivos están bien adaptados para las aplicaciones informáticas de ordenador portátil: cargue la transferencia y accione la gestión, los circuitos de la carga de batería, y la conversión de DC/DC.

Características

• -6 A, -30 V.R_{DS(ENCENDIDO)} = 0,032 W @ V_GS = -10 V,

                     R_{DS(ENCENDIDO)} = 0,045 W @ V_GS = -4,5 V.

• Carga baja de la puerta (14.5nC típico).

• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - R bajo_{DS(ENCENDIDO)}.

• Poder más elevado y capacidad de dirección actual.

Grados máximos absolutos T_A = 25℃ a menos que se indicare en forma diferente

CARACTERÍSTICAS TERMALES

Notas:

1. R_delθJA es la suma del empalme-a-caso y de la resistencia termal caso-a-ambiente donde se define la referencia termal del caso pues la superficie de montaje de la soldadura de los pernos del dren. R_delθJC es garantizado por diseño mientras que el_θCAde R es determinado por el diseño del tablero del usuario.

2. Prueba del pulso: ≤ 300µs, ≤ 2,0% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.

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