Línea diferenciada automotriz receptor del chip CI electrónico LVDS de DS90LT012AQMF/NOPB

DS90LT012AQ

Línea diferenciada automotriz receptor de LVDS

Descripción general

El DS90LT012AQ es una sola línea diferenciada receptor del Cmos diseñado para los usos que requieren tarifas ultrabajas de la disipación de poder, de poco ruido, y altas de datos. Los dispositivos se diseñan para apoyar tarifas de datos superior a 400 Mbps (200 megaciclos) que utiliza la tecnología diferenciada de (LVDS) del oscilación de la baja tensión.

El DS90LT012AQ acepta bajas señales de entrada diferenciadas de la tensión (350 milivoltio típicos) y las traduce a los niveles de producción de 3V Cmos. El DS90LT012AQ incluye una linea de entrada resistor de la terminación para los usos de punto a punto.

La línea conductor DS90LV011AQ de DS90LT012AQ y del compañero LVDS proporciona una nueva alternativa a los dispositivos del poder más elevado PECL/ECL para los usos del interfaz de alta velocidad.

Características

Grado 1 del ■ AECQ-100

■ -40 a la operación de la gama de temperaturas de +125°C

■ compatible con estándar del ANSI TIA/EIA-644-A

la transferencia del ■ >400 Mbps (200 megaciclos) valora

■ posición oblicua del diferencial de 100 picosegundos (típica)

retraso de propagación máximo del ns del ■ 3,5

Línea integrada resistor de la terminación (100Ω del ■ típicos)

Solo diseño de la fuente de alimentación 3.3V del ■

Del ■ del poder alta impedancia abajo en entradas de LVDS

Las entradas del ■ LVDS aceptan señales de LVDS/CML/LVPECL

El ■ Pinout simplifica la disposición del PWB

Disipación de energía baja del ■ (10mW parásitos atmosféricos del typical@ 3.3V)

Paquete de la ventaja del ■ SOT-23 5

Tabla de verdad del diagrama de conexión

Diagrama funcional

Grados máximos absolutos (nota 4)

Si los militares/el espacio aéreo especificaron los dispositivos se requieren, entran en contacto con por favor los distribuidores nacionales de la oficina de ventas del semiconductor para la disponibilidad y las especificaciones.

Voltaje de fuente (_DD) de V −0.3V a +4V

Voltaje de entrada (IN+, IN−) −0.3V a +3.9V

Voltaje de salida (TTL HACIA FUERA) −0.3V a (V_DD + 0.3V)

Cortocircuito −100mA actual de la salida

Disipación de poder máxima del paquete @ +25°C

    Paquete 794mW de la frecuencia intermedia

    Reduzca la capacidad normal del paquete 7,22 mW/°C de la frecuencia intermedia sobre +25°C

Empaquete la resistencia termal (4-Layer, 2 onzas. Cu, JEDEC)

    θ_JA 138.5°C/W

    θ_JC 107.0°C/W

Temperatura (sec 4.) +260°C que suelda de la ventaja

Temperatura de empalme máxima +135°C

ESD que valora HBM (nota 1) >8 kilovoltio

                    Milímetro (nota 2) >250V

                    CDM (nota 3) >1250V

Nota 1: Modelo del cuerpo humano, estándar aplicable JESD22-A114C

Nota 2: Modelo de máquina, estándar aplicable JESD22-A115-A

Nota 3: Modelo inducido campo del dispositivo de la carga, estándar aplicable JESD22-C101-C

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