Chip CI GaAГAs Ired y Photo−IC del poder del microprocesador del circuito integrado de TLP251F

Photocoupler GaAℓAs Ired y Photo−IC de TOSHIBA

TLP251F

Inversor para el aire acondicionado

Calefacción de inducción

Inversor del transistor

Impulsión de la puerta del MOSFET del poder

Impulsión de la puerta de IGBT

TOSHIBA TLP251F consiste en un diodo electroluminoso de GaAℓAs y un fotodetector integrado.

Esta unidad es paquete de la INMERSIÓN 8−lead.

TLP251F es conveniente para el circuito de conducción de la puerta de IGBT o del FET del MOS del poder. Especialmente TLP251 es capaz de la impulsión “directa” de la puerta de un poder más bajo IGBTs. (~15A)

• Corriente del umbral de la entrada: SI = 5mA (máximo)

• Corriente de la fuente: 11mA (máximo)

• Voltaje de fuente: 10~35V

• Corriente máxima de la salida: ±0.4A (máximo)

• Tiempo de la transferencia: tpHL, tpLH = 1μs (máximo)

• Voltaje del aislamiento: 2500Vrms (mínimo)

• UL reconocida: UL1577, fichero no E67349

• Tipo VDE de la opción (D4) aprobado:

  EN 60747-5-2, no. 40011913 del estruendo del certificado

  Voltaje de funcionamiento del aislamiento del máximo: 1140VPK

  Voltaje excesivo lo más arriba posible permitido: 6000VPK

(La nota 1) cuando un tipo aprobado 60747-5-2 del EN es necesario, señala por favor la “opción (D4)”

• Parámetro estructural

  Distancia de contorneamiento: 8.0m m (Min.)

  Liquidación: 8.0m m (Min.)

Oferta común (venta caliente)

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