MOSFET eléctrico del poder del canal N del ic del transistor del Mosfet del poder IRFD120

IRFD120

1.3A, 100V, 0,300 ohmios, MOSFET del poder del canal N

Este MOSFET avanzado del poder se diseña, se prueba, y se garantiza para soportar un nivel especificado de energía en el modo de operación de la avalancha de la avería. Éstos son transistores de efecto de campo del poder de la puerta de silicio del modo del aumento del canal N diseñados para los usos tales como recortes reguladores, convertidores de la transferencia, conductores del motor, conductores de la retransmisión, y conductores para los transistores de transferencia bipolares del poder más elevado que requieren poder de alta velocidad y bajo de la impulsión de la puerta. Pueden ser actuados directamente desde los circuitos integrados.

Tipo antes de desarrollo TA17401.

Características

• 1.3A, 100V

• r_{DS(ENCENDIDO)} = 0.300Ω

• Sola energía de la avalancha del pulso clasificada

• SOA es Power Dissipation Limited

• Velocidades de transferencia del nanosegundo

• Características de transferencia lineares

• Alta impedancia de entrada

• Literatura relacionada

   - TB334 “instrucciones para los componentes superficiales del soporte que sueldan a los tableros de PC”

Grados máximos absolutos T_C = 25℃, salvo especificación de lo contrario

PRECAUCIÓN: Las tensiones sobre ésas enumeradas en “grados máximos absolutos” pueden causar daño permanente al dispositivo. Esto es una tensión que valora solamente y la operación del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones sobre ésos indicados en las secciones operativas de esta especificación no se implica.

NOTA:

1. T_J = 25℃ a 125℃.

3. V_DD = 25V, comenzando T_J = 25℃, L = 32mH, R_G = 25Ω, pico I_COMO = 1.3A.

Empaquetado

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