diodo de rectificadores de la barrera de Schottky del TRANSISTOR del SILICIO del PODER de 2N6052 PNP DARLINGTON sr360

diodo de rectificadores de la barrera de Schottky del TRANSISTOR del SILICIO del PODER de 2N6052 PNP DARLINGTON sr360

. . diseñado para el amplificador del general−purpose y los usos de baja fricción de la transferencia

• Alto aumento actual de DC —

              hFE = 3500 (tipo) @ IC = 5,0 ADC

• Voltaje de mantenimiento de Collector−Emitter — @ 100 mA

                       VCEO (sus) = 80 VDC (minuto) — 2N6058

                                            100 VDC (minuto) — 2N6052, 2N6059

• Construcción monolítica con los resistores de desviación de Built−In Base−Emitter

Hay dos limitaciones en la capacidad del manejo de la potencia de un transistor: temperatura de empalme media y segunda avería. Las curvas del área de funcionamiento seguro indican los límites del − VCE de IC del transistor que se debe observar para la operación confiable; es decir, el transistor no se debe sujetar a la mayor disipación que las curvas indican

Los datos de los cuadros 5, 6, y 7 se basan en TJ (PK) = 200C; El TC es variable dependiendo de condiciones. Los segundos límites del pulso de la avería son válidos para los ciclos de trabajo hasta TJ proporcionado el 10% (PK) 200C; TJ (PK) se puede calcular de los datos en el cuadro 4. En las altas temperaturas de caso, las limitaciones termales reducirán el poder que se puede manejar a los valores menos que las limitaciones impuestas por la segunda avería.

Anterwell era estructura en 2004, en aquel momento nosotros apenas una empresa pequeña como una semilla.

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