Transistor transistor de efecto de campo dual de N del Mosfet del poder de NDS9952A y del P-canal

Número de modelo:NDS9952A
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:9200pcs
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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NDS9952A

Transistor de efecto de campo dual del modo del aumento de N y del P-canal

 

Descripción general

 

Este los transistores duales de la n y de efecto de campo del poder del modo del aumento del P-canal se producen usando Fairchild propietaria, alta densidad de célula, tecnología de DMOS. Este proceso muy de alta densidad se adapta especialmente para minimizar resistencia del en-estado, para proporcionar funcionamiento superior de la transferencia, y para soportar pulsos de la alta energía en los modos de la avalancha y de la conmutación. Estos dispositivos se adaptan particularmente para los usos de la baja tensión tales como gestión del poder del ordenador portátil y otros circuitos con pilas donde están necesarios la transferencia rápida, el apagón en línea bajo, y la resistencia a los transeúntes.

 

Características

  • Canal N 3.7A, 30V, RDS(ENCENDIDO) =0.08W @ VGS =10V.
  • P-canal -2.9A, -30V, RDS(ENCENDIDO) =0.13W @ VGS =-10V.
  • Diseño de alta densidad de la célula o extremadamente - R bajoDS(ENCENDIDO).
  • Poder más elevado y capacidad de dirección actual en un paquete superficial ampliamente utilizado del soporte.
  • Se dobla (N y P-canal) el MOSFET en el paquete superficial del soporte.

 

Grados máximos absolutos TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

SímboloParámetroCanal NP-canalUnidades
VDSSVoltaje de la Dren-fuente30-30V
VGSSVoltaje de la Puerta-fuente± 20± 20V
ID

Corriente del dren - continua (nota 1a)

- Pulsado

± 3,7± 2,9A
± 15± 150
PDDisipación de poder para la operación dual2W

Disipación de poder para la sola operación (nota 1a)

(Nota 1b)

(Nota 1c)

1,6
1
0,9 
TJ, TSTGFuncionamiento y gama de temperaturas de almacenamiento-55 a 150°C

Notas: 1. RdelθJA es la suma del empalme-a-caso y de la resistencia termal caso-a-ambiente donde se define la referencia termal del caso pues la superficie de montaje de la soldadura de los pernos del dren. RdelθJC es garantizado por diseño mientras que elθCAde R es determinado por el diseño del tablero del usuario.

R típicodelθJA para la sola operación del dispositivo usando las disposiciones del tablero mostradas abajo en 4,5"” PWB de FR-4 x5 en un ambiente de aire inmóvil:

a. 78℃/W cuando está montado en un 0,5 enel cojín2 del cpper 2oz.

b. 125℃/W cuando está montado en un 0,02 enel cojín2 del cpper 2oz.

c. 135℃/W cuando está montado en un 0,003 enel cojín2 del cpper 2oz.

Escala 1: 1 en el papel de 216 x 280 mm

 

 

 

 

Oferta común (venta caliente)

Número de parte.CantidadMarcaD/CPaquete
LTC4301CMS84300LINEAR16+MSOP-8
LTC4311ISC63092LT15+SC70
LTC4357CMS8#PBF3990LINEAR16+MSOP-8
LTC4365CTS84339LINEAR16+SOT-23
LTC4365CTS8#TRPBF4310LINEAR15+SOT23-6
LTC4425EMSE#TRPBF2954LINEAR16+MSOP-12
LTC6903CMS8#PBF6610LT14+MSOP-8
LTC6903IMS8#PBF5190LT11+MSOP-8
LTC6908IS6-13669LT16+SOT23-6
LTC6930CMS8-4.19#PBF6620LT16+MSOP-8
LTM8045IY#PBF2038LINEAR12+BGA40
LTST-C150KSKT12000LITEON13+SMD
LTST-C170KGKT9000LITEON15+LED
LTST-C171KRKT9000LITEON16+SMD
LTST-C190KGKT9000LITEON15+SMD0603
LTST-C191KGKT12000LITEON16+SMD
LTST-C193KRKT-5A21000LITEON15+SMD
LTST-S220KRKT116000LITE-ON16+LED
LTV354T18000LITEON14+SOP-4
LTV-356T119000LITEON14+SMD-4
LTV356T-D47000LITEON14+SOP-4
LTV4N2572000LITEON16+INMERSIÓN
LTV817C12000LITEON14+INMERSIÓN
LTV-817S-TA1-A56000LITE-ON13+SMD-4
LTV82762000LITEON16+DIP-8
LTV847S19474LITEON13+SOP-16
LX6503IDW9119MSC09+SOP-16
LXT6234QE BO4013INTEL16+QFP100
LXT980AHC740INTEL13+QFP208
M13S2561616A-5T9090ESMT14+TSSOP

 

 

 

 

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