Transistor bajo del transistor NPN/NPN VCEsat (BISS) del Mosfet del poder de PBSS4112PAN

Número de modelo:PBSS4112PAN
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:7900pcs
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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Detalles del producto

 

PBSS4112PAN

120 V, 1 transistor bajo de A NPN/NPN VCEsat (BISS)

 

Descripción general

La brecha baja de NPN/NPN VCEsat en el pequeño transistor de (BISS) de la señal en un poder medio sin plomo DFN2020-6 (SOT1118) Superficie-montó el paquete del plástico de (SMD) del dispositivo. Complemento de NPN/PNP: PBSS4112PANP. Complemento de PNP/PNP: PBSS5112PAP.

 

Características y ventajas

• Voltaje de saturación muy bajo del colector-emisor VCEsat

• Alta capacidad IC y yocm de la corrientede colector

• AltoFE del aumento actual hde colector en el alto IC

• Requisitos reducidos de (PCB) del tablero del circuito impreso

• Alto rendimiento energético debido a menos generación de calor

• AEC-Q101 calificado

 

Usos

• Interruptor de la carga

• dispositivos Batería-conducidos

• Gestión del poder

• Circuitos de carga

• Interruptores (e.g motores, fans)

 

Valores límites

De acuerdo con el sistema de calificación máximo absoluto (IEC 60134).

SímboloParámetroCondiciones MinutoMáximoUnidad
  Por el transistor
VCBOvoltaje de la colector-baseabra el emisor -120V
VCEOvoltaje del colector-emisorabra la base -120V
VEBOvoltaje de la emisor-baseabra el colector -7V
ICcorriente de colector  -1A
ICMcorriente de colector máximasolo pulso; msdel ≤ 1 de tp -1,5A
IBcorriente baja  -0,3A
IBMcorriente baja máximasolo pulso; msdel ≤ 1 de tp -1A
Bebéde Pdisipación de poder total°C del ≤ 25 de Tamb

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370

570

530

700

450

760

700

1450

mW

mW

mW

mW

mW

mW

mW

mW

  Por el dispositivo
Bebéde Pdisipación de poder total°C del ≤ 25 de Tamb

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510

780

730

960

620

1040

960

2000

mW

mW

mW

mW

mW

mW

mW

mW

Tjtemperatura de empalme  -150°C
Tambtemperatura ambiente  -55150°C
Tstgtemperatura de almacenamiento  -65150°C

[1] dispositivo montado en un PWB FR4, huellas de cobre de un sólo lado de la línea de tira de 35 µm, estañado y estándar.

dispositivo montado en un PWB FR4, línea de tira de cobre de un sólo lado de 35 µm, estañada, postizo [de 2] de montaje para el colector 1 cm2.

dispositivo [de 3] montado en 4 la huella de cobre de la línea de tira del µm del PWB 35 de la capa, estañado y estándar.

dispositivo [de 4] montado en 4 la línea de tira de cobre del µm del PWB 35 de la capa, estañada, postizo de montaje para el colector 1 cm2.

dispositivo [de 5] montado en un PWB FR4, huellas de cobre de un sólo lado de la línea de tira de 70 µm, estañado y estándar.

dispositivo montado en un PWB FR4, línea de tira de cobre de un sólo lado de 70 µm, estañada, postizo [de 6] de montaje para el colector 1 cm2.

dispositivo [de 7] montado en 4 la huella de cobre de la línea de tira del µm del PWB 70 de la capa, estañado y estándar.

dispositivo [de 8] montado en 4 la línea de tira de cobre del µm del PWB 70 de la capa, estañada, postizo de montaje para el colector 1 cm2.

 

 

Oferta común (venta caliente)

Número de parte.CantidadMarcaD/CPaquete

 

SGM8922AYS85140SGM10+SOP-8
SGM9119YS817690SGMICRO16+SOP-8
SLG505YC256CT2330SILEGO14+SOP-8
SI4416DY-T1-E317708SILICONIX05+SOP-8
SP3072EEN-L/TR38004SIPEX13+SOP-8
SP485RCN-L14724SIPEX13+SOP-8
SP485REN-L46500SIPEX16+SOP-8
SP708SEN8240SIPEX16+SOP-8
SM7523B47500SM16+SOP-8
S25FL040A0LVFI003R38856SPANSION16+SOP-8
S25FL164K0XMFI01129532SPANSION15+SOP-8
SST25LF020A-33-4C-SAE39140SST12+SOP-8
SST25VF016B-50-4C-S2AF7084SST14+SOP-8
SST25VF016B-50-4I-S2AF12564SST14+SOP-8
SST25VF020-20-4I-SAE8532SST11+SOP-8
SST25VF032B-80-4I-S2AF10142SST16+SOP-8
SST25VF080B-50-4C-S2AF19348SST10+SOP-8
SST25VF080B-80-4I-S2AF12578SST16+SOP-8
SSRP130B139992ST13+SOP-8
ST1S10PHR5256ST16+SOP-8
ST3485EBDR14900ST10+SOP-8
ST485EBDR31000ST16+SOP-8
ST922I40276ST16+SOP-8
STM704SM6F6004ST16+SOP-8
STS8DNF3LL14592ST04+SOP-8
STS8DNH3LL17320ST10+SOP-8
TDA2822D013TR17298ST09+SOP-8
TJM4558CDT111000ST16+SOP-8
TL061CDR15170ST16+SOP-8
TL072CDR17186ST16+SOP-8

 

 

 

 

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Transistor bajo del transistor NPN/NPN VCEsat (BISS) del Mosfet del poder de PBSS4112PAN

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