Mosfet complementario de la energía baja del mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder de MJD122G Darlington

Mosfet complementario de la energía baja del mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder de MJD122G Darlington

Diseñado para el amplificador de fines generales y los usos de poca velocidad de la transferencia.

Características

• Ventaja formada para los usos superficiales del soporte en fundas plásticas • Reemplazos superficiales del soporte para las series 2N6040−2N6045, las series TIP120−TIP122, y las series TIP125−TIP127

• Construcción monolítica con los resistores de desviación de Built−in Base−Emitter

• Alto aumento actual de DC: hFE = 2500 (tipo) @ IC = 4,0 ADC

• El epóxido resuelve UL 94 V−0 @ 0,125 adentro

• Grados del ESD: Modelo del cuerpo humano, modelo de máquina de 3B 8000 V, C 400 V

• Los paquetes de Pb−Free están disponibles

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS TÍPICAS

LISTA COMÚN 

Anterwell era estructura en 2004, en aquel momento nosotros apenas una empresa pequeña como una semilla.

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Anterwell se especializa en Componentswhich electrónico está situado en el centro más grande de la electrónica en asiático---HuaQiang del norte, ciudad P.R. de Shenzhen. Durante los varios años, la compañía ha crecido y ha prosperado. Ahora ha sido un distribuidor famoso en los componentes electrónicos.
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Actualmente, Anterwell Technology Ltd. está no sólo uno de los distribuidores principales de los componentes de Electroncs en China, pero también principalmente un exportador de Capacitosr y los resistores.
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