TRANSISTOR de PODER del SILICIO del transistor del Mosfet del poder 2SA1412

Número de modelo:2SA1412
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:7900pcs
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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Detalles del producto

 

Oferta común (venta caliente)

Número de parte.CantidadMarcaD/CPaquete
REF5025AIDGKR7693TI15+MSOP-8
REF5025AIDR5866TI16+SOP-8
REG113NA-3/3K6375TI15+SOT23-5
RFANT5220110A2T48000WALSIN16+SMD
RGP02-20E-E3/5482000VISHAY16+DO-41
RHRP306017467FSC14+TO-220
RJH60F7DPQ7148RENESAS13+TO-247
RN1907FE161000TOSHIBA15+SOT-563
RPR-2203874ROHM14+DIP-4
RR264MM-400TR12000ROHM15+SOD-123
RS1J-E3/61T45000VISHAY16+DO-214AC
RS3MB-13-F18000DIODOS16+DO-214AA
RS50788000SEPT16+DIP-4
RSA5MG164000ROHM16+SOD-123
RSX101VA-30TR66000ROHM15+SOD-323
RT3140123836TYCO13+DIP-8
RT7257AHZSP7602RICHTEK14+SOP-8
RT8011APQW20000RICHTEK14+QFN
RT8250GSP19368RICHTEK13+SOP-8
RT8289GSP6446RICHTEK12+SOP-8
RT9161A-33PG40000RICHTEK15+SOT-223
RT9162-33PX66000RICHTEK14+SOT-89
RT9167A-33GB11000RICHTEK13+SOT23-5
RT9167A-50GB23060RICHTEK16+SOT23-5
RT9701PBL90000RICHTEK13+SOT23-5
RT9715EGB67000RICHTEK11+SOT23-5
RTC72421A6330EPSON14+DIP-18
RTD2271CW-CG3861REALTEK12+QFP128
RTL8111F-CG3855REALTEK14+QFN48
RU190N08Q16236RUICHIPS16+TO-247

 

 

TRANSISTOR DE PODER DEL SILICIO 2SA1412-Z

TRANSISTOR DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO DE PNP

 

DESCRIPCIÓN

El 2SA1412-Z se diseña para la transferencia de alto voltaje, especialmente en circuitos integrados híbridos.

 

CARACTERÍSTICAS

• Alto voltaje: VCEO = −400 V

• Velocidad: μs del ≤ 0,7 del tf

• Complemento a 2SC3631-Z

 

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA = 25°C)

Colector al voltaje bajo VCBO −400 V

Colector alCEO −400 Vdel voltaje V del emisor

Base al voltaje VEBO −7 V del emisor

Corriente de colector (DC) IC(DC) −2.0 A

Nota 1 IC(pulso) −4.0 Ade la corrientede colector (pulso)

Disipación de poder total (TA = 25°C) nota 2 P2,0 W

°C de la temperatura de empalme Tj 150

Stg −55 de la temperaturade almacenamiento T al °C +150

                                                                                                                                                    

Notas ms del ≤ 10 de 1. picovatios, ≤ el 50% del ciclo de trabajo

            2. Cuando está montado en el substrato de cerámica de 7,5 cm2s de × 0,7 milímetros  

 

DIBUJO del PAQUETE (unidad: milímetro)

 

 

 

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TRANSISTOR de PODER del SILICIO del transistor del Mosfet del poder 2SA1412

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