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Oferta común (venta caliente)
Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
REF5025AIDGKR | 7693 | TI | 15+ | MSOP-8 |
REF5025AIDR | 5866 | TI | 16+ | SOP-8 |
REG113NA-3/3K | 6375 | TI | 15+ | SOT23-5 |
RFANT5220110A2T | 48000 | WALSIN | 16+ | SMD |
RGP02-20E-E3/54 | 82000 | VISHAY | 16+ | DO-41 |
RHRP3060 | 17467 | FSC | 14+ | TO-220 |
RJH60F7DPQ | 7148 | RENESAS | 13+ | TO-247 |
RN1907FE | 161000 | TOSHIBA | 15+ | SOT-563 |
RPR-220 | 3874 | ROHM | 14+ | DIP-4 |
RR264MM-400TR | 12000 | ROHM | 15+ | SOD-123 |
RS1J-E3/61T | 45000 | VISHAY | 16+ | DO-214AC |
RS3MB-13-F | 18000 | DIODOS | 16+ | DO-214AA |
RS507 | 88000 | SEPT | 16+ | DIP-4 |
RSA5MG | 164000 | ROHM | 16+ | SOD-123 |
RSX101VA-30TR | 66000 | ROHM | 15+ | SOD-323 |
RT314012 | 3836 | TYCO | 13+ | DIP-8 |
RT7257AHZSP | 7602 | RICHTEK | 14+ | SOP-8 |
RT8011APQW | 20000 | RICHTEK | 14+ | QFN |
RT8250GSP | 19368 | RICHTEK | 13+ | SOP-8 |
RT8289GSP | 6446 | RICHTEK | 12+ | SOP-8 |
RT9161A-33PG | 40000 | RICHTEK | 15+ | SOT-223 |
RT9162-33PX | 66000 | RICHTEK | 14+ | SOT-89 |
RT9167A-33GB | 11000 | RICHTEK | 13+ | SOT23-5 |
RT9167A-50GB | 23060 | RICHTEK | 16+ | SOT23-5 |
RT9701PBL | 90000 | RICHTEK | 13+ | SOT23-5 |
RT9715EGB | 67000 | RICHTEK | 11+ | SOT23-5 |
RTC72421A | 6330 | EPSON | 14+ | DIP-18 |
RTD2271CW-CG | 3861 | REALTEK | 12+ | QFP128 |
RTL8111F-CG | 3855 | REALTEK | 14+ | QFN48 |
RU190N08Q | 16236 | RUICHIPS | 16+ | TO-247 |
TRANSISTOR DE PODER DEL SILICIO 2SA1412-Z
TRANSISTOR DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO DE PNP
DESCRIPCIÓN
El 2SA1412-Z se diseña para la transferencia de alto voltaje, especialmente en circuitos integrados híbridos.
CARACTERÍSTICAS
• Alto voltaje: VCEO = −400 V
• Velocidad: μs del ≤ 0,7 del tf
• Complemento a 2SC3631-Z
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA = 25°C)
Colector al voltaje bajo VCBO −400 V
Colector alCEO −400 Vdel voltaje V del emisor
Base al voltaje VEBO −7 V del emisor
Corriente de colector (DC) IC(DC) −2.0 A
Nota 1 IC(pulso) −4.0 Ade la corrientede colector (pulso)
Disipación de poder total (TA = 25°C) nota 2 PT 2,0 W
°C de la temperatura de empalme Tj 150
Stg −55 de la temperaturade almacenamiento T al °C +150
Notas ms del ≤ 10 de 1. picovatios, ≤ el 50% del ciclo de trabajo
2. Cuando está montado en el substrato de cerámica de 7,5 cm2s de × 0,7 milímetros
DIBUJO del PAQUETE (unidad: milímetro)