Semiconductor integrado programado placa de circuito de la electrónica de MC14584BDR2G

Número de modelo:MC14584BDR2G
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:8100pcs
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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Semiconductor integrado programado placa de circuito de la electrónica de MC14584BDR2G

 

 

Oferta común (venta caliente)

 

Número de parte.CantidadMarcaD/CPaquete
NJM2575F16533JRC05+SOT23-6
NJM2902M76000JRC16+SOP-14
NJM4565D62000JRC16+SOP-14
NJM4565M78000JRC13+SOP-8
NJM4741D5137JRC13+DIP-14
NJM4741M6091JRC16+SOP-14
NJW0302G/NJW0281G5000EN16+TO-3P
NLCV32T-3R3M-PF8000TDK06+SMD
NLFC322522T-100K-PF12000TDK08+SMD
NLFC322522T-2R2M-PF20000TDK08+SMD
NPCE781LAODX2831NUVOTON10+QFP
NR6028T4R7M79000TAIYO11+SMD
NR6045T6R3M53000TAIYO14+SMD
NRF24L015018NORDIC16+QFN20
NRF51822-QFAA7026NORDIC16+QFN48
NSR0230P2T5G140000EN14+SOD-923
NSR0340V2T1G21000EN12+SOD-523
NT5DS16M16CS-6K7077NANYA09+TSOP-66
NT5DS64M8CS-5T4011NANYA16+TSOP-66
NTD3055L104T4G20220EN16+TO-252
NTD5802NT4G19297EN14+TO-252
NTD5865NLT4G60000EN14+TO-252
NTF3055-100T1G16102EN15+SOT-223
NTF3055L108T1G11716EN15+SOT-223
NTF3055L175T1G16173EN09+SOT-223
NTMD4820NR2G15124EN13+SOT-8
NTR1P02LT1G143000EN05+SOT-8
NTR2101PT1G27000EN07+SOT-23
NTR4501NT1G76000EN15+SOT-23
NTUD3169CZT5G11787EN16+SOT-963

 

 

MC14584B

Disparador de Schmitt del hex.

 

El disparador de Schmitt del hex. de MC14584B se construye con MOS P−channel y los dispositivos del modo del aumento de N−channel en una sola estructura monolítica. Estos dispositivos encuentran el uso primario donde se desea la disipación de energía baja y/o la alta inmunidad de ruido. El MC14584B se puede utilizar en lugar del inversor del maleficio de MC14069UB para la inmunidad de ruido aumentada “ajusta para arriba” formas de onda lentamente cambiantes.

 

Características

• Gama del voltaje de fuente = 3,0 VDC a 18 VDC

• Capaz de conducir dos cargas de Low−power TTL o una carga de Low−power Schottky TTL sobre la gama de temperaturas clasificada

• Protección del diodo doble en todas las entradas

• Puede ser utilizado para substituir MC14069UB

• Para la mayor histéresis, uso MC14106B que es reemplazo de Pin−for−Pin para CD40106B y MM74Cl4

• Los paquetes de Pb−Free están disponibles

 

GRADOS MÁXIMOS (voltajes referidos a VSS)

SímboloParámetroValorUnidad
VDDGama del voltaje de fuente de DC−0.5 a +18,0V
Vadentro, Vhacia fuera Gama de la entrada o del voltaje de salida (DC o transeúnte)−0.5 a VDD + 0,5V
Iadentro, Ihacia fueraCorriente de la entrada o de salida (DC o transeúnte) por el Pin±10mA
PDDisipación de poder, por el paquete (nota 1)500mW
TAGama de temperaturas ambiente−55 a +125°C
TstgGama de temperaturas de almacenamiento−65 a +150°C
TLTemperatura de la ventaja (el soldar 8−Second)260°C

 

Las tensiones que exceden grados máximos pueden dañar el dispositivo. Los grados máximos son grados de la tensión solamente. La operación funcional sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas no se implica. La exposición extendida a las tensiones sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar a confiabilidad del dispositivo.

1. Temperatura que reduce la capacidad normal:

    Paquetes del plástico “P y D/DW”: – 7,0 mW/°C de 65°C a 125°C 

 

Este dispositivo contiene el conjunto de circuitos de la protección para guardar contra el daño debido a los altos voltajes estáticos o a los campos eléctricos. Sin embargo, las precauciones se deben tomar para evitar usos de cualquier voltaje clasificado más arriba que máximo del voltaje a este circuito del high−impedance. Para la operación apropiada, Vadentro y Vhacia fuera se deben obligar a laDD de la gama VSS (Vadentro o Vhacia fuera) V.

 

Las entradas inusitadas se deben atar siempre a un nivel voltaico apropiado de la lógica (DD e.g., de V SSo de V). Las salidas inusitadas se deben dejar abiertas.

 

 

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