Mosfet ic del poder del transistor del Mosfet del poder de IRFB20N50KPBF

Número de modelo:IRFB20N50KPBF
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:6900pcs
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

Oferta de acciones (Venta caliente)

Nº de piezaCantidadMarcaCORRIENTE CONTINUAPaquete
MMBT4403LT1G24000LRC16+SOT-23
MMBT5401LT1G27000EN16+SOT-23
MMBT55509000FSC08+SOT-23
MMBT5551LT1G15000LRC16+SOT-23
MMBT64279000FSC08+SOT-23
MMBTA06-7-F9000DIODOS15+SOT-23
MMBTA13LT1G9000EN16+SOT-23
MMBTA146000FSC05+SOT23-3
MMBTA42LT1G9000LRC15+SOT-23
MMBZ5230BLT1G18000LRC16+SOT-23
MMBZ5234BLT1G18000EN15+SOT-23
MMBZ5248BLT1G18000LRC16+SOT-23
MMBZ5257BLT1G18000LRC15+SOT-23
MMBZ5V6ALT1G18000EN10+SOT-23
MMSZ2V4T1G12000EN14+SOD-123
MMSZ2V7T1G9000EN16+SOD-123
MMSZ4681T1G12000EN15+SOD-123
MMSZ4684T1G12000EN15+SOD-123
MMSZ4689T1G9000EN16+SOD-123
MMSZ5234B-7-F12000DIODOS12+SOD-123
MMSZ5243BT1G21000LRC15+SOD-123
MMSZ5250BT1G21000EN16+SOD-123
MMSZ5254BT1G9000EN14+SOD-323
MMSZ5255B9000DIODOS16+SOD-123
MMSZ6V2T1G9000EN13+SOD-123
MOC3022S-TA122000Liteon15+SMD
MOC3023M14343FSC16+DIP-6
MOC3023SR2M7397FSC16+SOP-6
MOC3023S-TA130000Liteon14+SMD-6
MOC30306391FSC14+DIP-6

IRFB20N50KPbF SMPS MOSFET


MOSFET de potencia HEXFET


Aplicaciones

  • Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)
  • Fuente de poder ininterrumpible
  • Conmutación de energía de alta velocidad
  • Circuitos duros y de alta frecuencia
  • Sin plomo

Beneficios

  • Carga baja de la puerta Qg da como resultado un requisito de unidad simple
  • Puerta Mejorada, Avalancha y Robustez Dynamicdv / dt
  • Voltaje y corriente de la capacitancia y de la avalancha completamente caracterizados
  • Low R DS (en)

Índices absolutos máximos

ParámetroMax.Unidades
I D @ T C = 25 ° CCorriente continua de drenaje, V GS @ 10V20UN
I D @ T C = 100 ° CCorriente continua de drenaje, V GS @ 10V12UN
me DMCorriente de drenaje pulsado80UN
P D @T C = 25 ° CDisipación de potencia280W
Factor Derating Lineal2.2BAÑO
V GSVoltaje puerta a fuente± 30V
Dv dtRecuperación del diodo máximo dv / dt6,9V / ns

T J

T STG

Junction de operación y

Rango de temperatura de almacenamiento

-55 a + 150DO
Temperatura de soldadura, durante 10 segundos (1,6 mm de la caja)300DO
Par de montaje, tornillo 6-32 o M310norte


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Mosfet ic del poder del transistor del Mosfet del poder de IRFB20N50KPBF

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