Transistor del silicio del FET NPN del MOS del canal N del transistor del Pin 2SK2996 3

Oferta común (venta caliente)

Tipo del MOS del canal N del silicio del transistor de efecto de campo de TOSHIBA

(π−MOSV) 2SK2996

Usos del convertidor de DC−DC, de la impulsión de la retransmisión y de la impulsión del motor

Drain−source bajo EN resistencia: R_{DS(ENCENDIDO)} = 0,74 Ω (tipo.)

Alta entrada de transferencia delantera: |Y_fs| = 6,8 S (tipo.)

Corriente baja de la salida: I_DSS = μA 100 (máximo) (V_DS = 600 V)

Modo del aumento: _Th V = 2.0~4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1 mA)

Grados máximos absolutos (TA = 25°C)

Nota: El usar continuamente bajo cargas pesadas (e.g el uso de alta temperatura/de corriente/de voltaje y del cambio significativo en temperatura, el etc.) puede hacer este producto disminuir en la confiabilidad perceptiblemente incluso si las condiciones de funcionamiento (es decir temperatura de funcionamiento/corriente/voltaje, etc.) están dentro de los grados máximos absolutos. Diseñe por favor la confiabilidad apropiada sobre el repaso del manual de la confiabilidad del semiconductor de Toshiba (“manejando concepto y los métodos de /Derating de las precauciones”) y los datos de confiabilidad individuales (es decir informe de prueba de confiabilidad y porcentaje de averías, etc estimados).

   Peso: 1,9 g (tipo.)

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