Inversor integrado chips CI electrónicos del hex. de los componentes 74HC04N

74HC04; 74HCT04

Inversor del hex.

CARACTERÍSTICAS

• Cumple con el estándar no 8-1A de JEDEC

• Protección del ESD: HBM EIA/JESD22-A114-A excede 2000 V milímetro EIA/JESD22-A115-A excede de 200 V.

• Especificado de −40 al °C +85 y de −40 a +125 °C.

DESCRIPCIÓN

Los 74HC/HCT04 son dispositivos de alta velocidad de la Si-puerta Cmos y son perno compatible con la energía baja Schottky TTL (LSTTL). Se especifican de acuerdo con el estándar no 7A de JEDEC. Los 74HC/HCT04 proporcionan seis almacenadores intermediarios de inversión.

DATOS DE REFERENCIA RÁPIDA

TIERRA = 0 V; Tamb = °C 25; ≤ 6,0 ns del tr = del tf.

Notas

1. _Elpaladiode C se utiliza para determinar la disipación de poder dinámica (P_D en µW).

    P_cc² de ×_del × f_idel × V del_paladio de_D = de C N + Σ (C_L de × f_o^del × V_cc²) donde:

    f_i = frecuencia entrada en el megaciclo;

    f_o = frecuencia hecha salir en el megaciclo;

    C_L = capacitancia hecha salir de la carga en el PF;

    V voltaje del_cc = de fuente en voltios;

    Salidas de la transferencia de la carga de N = del total;

    Σ (C_L de × f_o^del × V_cc²) = suma de las salidas.

2. Para 74HC04: la condición es V_I = tierra a V_cc.

    Para 74HCT04: la condición es V_I = tierra al − 1,5 V. de V_cc.

Tipo de conexión Fig.1 DIP14, SO14 y (T) SSOP14.

Tipo de conexión Fig.2 DHVQFN14.                                      Símbolo de lógica Fig.3.

Símbolo de lógica del IEC Fig.4.                               Diagrama de lógica Fig.5 (un inversor).

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