La placa de circuito de los diodos Zener del poder del silicio 1N5358B salta el componente electrónico
Número de modelo:SST25VF016B-50-4I-S2AF
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:5 piezas
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:10000pcs/day
Plazo de expedición:día 1
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Miembro del sitio
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces:
Dentro de 25 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
1N5358B Diodos Silicon-Power-Zener
Diodos Silicon-Power-Zener (tecnología no planar)
Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden)
Máxima disipación de energía Maximale Verlustleistung Voltaje
nominal Z Nominale Z-Spannung
Caja de plástico Kunststoffgehäuse Peso aprox. Gewicht ca. El
material plástico tiene la clasificación UL 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Embalaje estándar con cinta
adhesiva en el paquete de munición Geigertet estándar de Lieferform
en la Ammo-Paquete
La tolerancia estándar del voltaje de Zener es ± 5%). Otras
tolerancias de voltaje y tensiones Zener mayores bajo pedido.
Die Toleranz der Zener-Spannung está en el Estándar-Ausfhrung ± 5%.
Andere Toleranzen oder höhere
Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Disipación de energía Verlustleistung | P tot | 5 W 1 ) |
Disipación de potencia máxima no repetitiva, t <10 ms Einmalige Impuls-Verlustleistung, t <10 ms | P ZSM | 80 W |
Temperatura de funcionamiento de la unión - Sperrschichttemperatur Temperatura de almacenamiento - Lagerungstemperatur | T j T S | -50 ... + 150 ° C -50 ... + 175 ° C |
Unión de resistencia térmica al aire ambiente Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft | R Tha | <25 K / W 1) |
Unión de resistencia térmica a la terminal Wärmewiderstand Sperrschicht - Anschluss | R THL | <8 K / W |
La placa de circuito de los diodos Zener del poder del silicio 1N5358B salta el componente electrónico
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