Transistor de fines generales de alto voltaje del npn del silicio construido en un diodo más húmedo, 2SD1290

Número de modelo:2SD1290
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:8000
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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Detalles del producto

 

Transistor de fines generales de alto voltaje 2SD1290 del npn del silicio construido en un diodo más húmedo

 

DESCRIPCIÓN

·Con el paquete de TO-3PN

·Diodo incorporado del apagador

·Alto voltaje, alta confiabilidad

·Amplia área de la operación segura

 

USOS

·Para la desviación horizontal del color TV

  usos de la salida

 

FIJACIÓN

      PIN      DESCRIPCIÓN
       1    Base
       2

    Colector; conectado con el montaje de la base

       3    Emisor

 

 

 

Grados máximos absolutos (Ta=25℃)

 SÍMBOLO       PARÁMETRO           CONDICIONES   VALOR   UNIDAD
   VCBO  voltaje de la Colector-base   Abra el emisor   1500     V
   VEBO  voltaje de la Emisor-base   Abra el colector     5     V
    IC  Corriente de colector (DC)      3     A
    ICM  Corriente de colector (pulso)     10     A
    PC  Disipación de poder del colector   TC=25℃     50     W
    Tj  Temperatura de empalme     130     ℃
    Stgde T  Temperatura de almacenamiento   -55~130     ℃

 

 

CARACTERÍSTICAS Tj=25℃ salvo especificación de lo contrario

 SÍMBOLO         PARÁMETRO        CONDICIONES  MÍNIMO.  TIPO.  MÁXIMO.  UNIDAD
 V(BR)EBO voltaje de avería de la Emisor-base ES DECIR =500mA; IC=0    5      V
 VCEsat voltaje de saturación del Colector-emisor IC=2A; IB=0.75A      5,0    V
 VBEsat Voltaje de saturación del emisor de base IC=2A; IB=0.75A       1,5    V
 ICBO Corriente de atajo de colector

 VCB=750V; ES DECIR =0

 VCB=1500V; ES DECIR =0

  

     50

      1

   μA

   mA

 FEde h Aumento actual de DC IC=2A; VCE=10V     3       8 
 ts Tiempo de almacenamientoIC=2A ILeak=0.75A, LB=5μH     3       7    μs
 tf Tiempo de caída        1    μs
 VF Voltaje delantero del diodo IF=-4A, IB=0       2,2     V

 

 

ESQUEMA DEL PAQUETE

 

China Transistor de fines generales de alto voltaje del npn del silicio construido en un diodo más húmedo, 2SD1290 supplier

Transistor de fines generales de alto voltaje del npn del silicio construido en un diodo más húmedo, 2SD1290

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