Transistores del mosfet del poder más elevado de MJD112T4G, transistores de poder complementarios de Darlington

Transistores del mosfet del poder más elevado de MJD112T4G, transistores de poder complementarios de Darlington

MJD112 (NPN)

MJD117 (PNP)

Transistores de poder complementarios de Darlington

DPAK para los usos superficiales del soporte

TRANSISTORES DE PODER DEL SILICIO

2 AMPERIOS

100 VOLTIOS

20 VATIOS

Diseñado para el poder y la transferencia de fines generales tal como etapas de la salida o de conductor en usos tales como recortes reguladores, convertidores, y amplificadores de potencia.

Características

• Los paquetes de Pb−Free están disponibles

• Ventaja formada para los usos superficiales del soporte en las fundas plásticas (ningún sufijo)

• Versión recta de la ventaja en las fundas plásticas (sufijo “−1”)

• Lleve la versión formada en la cinta y el carrete (“T4” y el sufijo de “de 16 milímetros RL”)

• Eléctricamente similar a la serie popular TIP31 y TIP32

GRADOS MÁXIMOS

Los grados máximos son esos valores más allá de los cuales el daño del dispositivo puede ocurrir. Los grados máximos aplicados al dispositivo son valores límites de la tensión individual (condiciones de funcionamiento no normales) y son inválidos simultáneamente. Si se exceden estos límites, la operación funcional del dispositivo no se implica, el daño puede ocurrir y la confiabilidad puede ser afectada.

DIAGRAMAS DE LA MARCA

DIMENSIONES DEL PAQUETE

DPAK

CASO 369C

PROBLEMA O

DPAK−3

CASO 369D−01

PROBLEMA B

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