Transistor del Mosfet del poder MMBF170, transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N

BS170/MMBF170

Transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N

Descripción general

Estos transistores de efecto de campo del modo del aumento del canal N se producen usando Fairchild propietaria, alta densidad de célula, tecnología de DMOS. Estos productos se han diseñado para minimizar resistencia del en-estado mientras que proporcione el funcionamiento rugoso, confiable, y rápido de la transferencia. Pueden ser utilizados en la mayoría de los usos que requieren hasta 500mA DC. Estos productos se adaptan particularmente para la baja tensión, los usos de poca intensidad tales como pequeño control de motor servo, los conductores de la puerta del MOSFET del poder, y otros usos de la transferencia.

Características

• Diseño de alta densidad de la célula para R bajo_{DS(ENCENDIDO)}.
• Interruptor controlado de la señal del voltaje pequeño.
• Rugoso y confiable.
• Alta capacidad de la corriente de saturación.

Grados máximos absolutos T_A = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

                 Circuito de la prueba de la transferencia.                                   Formas de onda de la transferencia.

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