Interruptor de gran intensidad elegante de Highside de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado de los diodos de BTS50055-1TMC

Número de modelo:BTS50055-1TMC
Lugar del origen:CN
Cantidad de orden mínima:100PCS
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:5000pcs
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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Detalles del producto

 

Interruptor de gran intensidad elegante de Highside de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado de los diodos de BTS50055-1TMC

 

BTS50055-1TMC

Interruptor de gran intensidad elegante de Highside

 

 Características

• Protección contra sobrecarga

• Limitación actual

• Protección del cortocircuito

• Sobre la protección de la temperatura

• Sobre la protección del voltaje (descarga incluyendo de la carga)

• Abrazadera del voltaje negativo en la salida

• Desenergización rápida de cargas inductivas 1)

• Operación actual inversa óhmica baja

•  de Reversave (protección reversa de la batería)

• Reacción de diagnóstico con sentido actual de la carga

• Abra la detección de la carga vía sentido actual

• Pérdida de la protección de Vbb 2)

• Protección de (ESD) de la descarga electrostática

• Producto verde (RoHS obediente)

• AEC calificado

Uso

• El interruptor con la reacción de diagnóstico del sentido actual para 12V DC puso a tierra cargas

• El más conveniente para las cargas con la alta corriente de la avalancha tenga gusto de las lámparas y de los motores; todos los tipos de

cargas resistentes e inductivas

• Substituye las retransmisiones electromecánicas, los fusibles y los circuitos discretos

Descripción general

FET vertical del poder del canal N con la bomba de carga, la entrada controlada actual y la reacción del diagnóstico con el sentido actual de la carga, integrado en microprocesador elegante del  de SIPMOS en tecnología del microprocesador. Abastecimiento de funciones protectoras integradas.

 

Una parte de la lista común

 

DIO US1A-13-FDIODOS1630/US1ASMA
CASQUILLO BUJÍA MÉTRICA 4.7UF 6.3V el 10% X5R GRM188R60J475KE19DMURATAIA6903WR4SMD0603
CL31B225KBHNNNESAMSUNGAC7JO2HSMD1206
C1210C106M5PACTUKEMET1603SMD1210
06033A102JAT2AAVX1628SMD0603
NPO del CER 20pF/16V el 10% del CASQUILLO
GRM1885C1H200JA01D
MURATAIA6903WR4SMD0603
NPO del CER 200pF/16V el 10% del CASQUILLO
GRM1885C1H201JA01D
MURATAIA6903WR4SMD0603
CASQUILLO CER 680pF/16V el 10%
0603N681K160CT
WALSIN2016-8-21SMD0603
NPO del CER 82pF/16V el 10% del CASQUILLO
0603N820K160CT
WALSIN2016-8-29SMD0603
SMBJ6.5A-E3/52TVISHAY1620/KKSMB
1.5SMC30AT3GEN1642/30ASMC
BLM21PG300SN1DMURATAAM6406617SMD0805
TXD2SA-5VCACEROLA10205/10206SMD-8
12105A472KAT2AAVX1628SMD1210
CASQUILLO CER 1000PF/50V EL 10% 06035A102JAT2AAVX1628SMD0603
CASQUILLO CER 33PF/50V EL 5%
C0603C330J1GACTU
KEMET1603SMD0603
CASQUILLO CER 100UF 6.3V el 20%
X5R GRM31CR60J107ME39L
MURATA161010SMD1206
CASQUILLO BUJÍA MÉTRICA 22uF/10V X5R
CL21A226MPCLRNC
SAMSUNG20160914/AC9DOQBSMD0805
CASQUILLO BUJÍA MÉTRICA 4N7/500V
CC1206KKX7RBBB472
YAGEO1612SMD1206
Ms 0R68 el 1% del RES
RL2512FK-070R68L
YAGEO1627SMD2512
TRAN NDT456PFSC1525AD/1F25AD/456SOT-223
EL 100UF/35V EL 20% DEL CASQUILLO
EEE-FK1V101XP
CACEROLAY1622F843536/100/35V/SYKsmd6.3*7.7
POLYSWITCH 050A 13.2V nanoSMDC050F/13.2-2TYCO16021SMD1206
CASQUILLO CER 4K7PF/50V EL 10%
C1206C472K5GACTU
KEMET1605SMD1206
RC0603FR-0720KLYAGEO1603SMD0603
CASQUILLO BUJÍA MÉTRICA 22uF 25V X5R el 10%
GRM32ER61E226KE15L
MURATA16/09/28/IA6922RT5SMD1210
DIO SS14MIC1620SMA
CASQUILLO CER 47uF/16V el 20% X5R
GRM32ER61C476ME15L
MURATAIA6904RJ4SMD1210
AP BUJÍA MÉTRICA CER 10uF 16V el 20% X5R C3216X5R1C106M160AAYAGEOIB16H20456SDSMD1206
CL10A106KQ8NNNCSAMSUNGAC7JO2HSMD0603
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