STRW6754 integró el recorte regulador del tiempo de retorno Cuasi-resonante del microprocesador del circuito integrado del transistor

Número de modelo:STRW6754
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:8600pcs
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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Detalles del producto

 

Recortes reguladores STR-W6754

Recorte regulador QuasiResonant del tiempo de retorno off-line de Universal-Input/100 W

 

El STR-W6754 es un regulador cuasi-resonante diseñado específicamente para satisfacer los requisitos para la integración y la confiabilidad crecientes en fuentes de alimentación del interruptor-modo. Incorpora un circuito primario del control y de impulsión con un MOSFET avalancha-clasificado del poder. El regulador exhibe solamente ruido de alta frecuencia de bajo nivel de la EMI debido a la transferencia suave del MOSFET cerca de la tierra (punto inferior). Una función del parte-salto minimiza un aumento de la frecuencia operativa durante cargas ligeras para mejorar eficacia de sistema sobre la gama entera de la carga.

Cubriendo el rango de potencia de debajo 160 vatios para una entrada de 230 VAC, o 100 vatios para una entrada universal (85 a 264 VAC), este dispositivo se puede utilizar en una gama de usos, de jugadores del DVD y del VCR a los adaptadores de corriente alterna para los teléfonos móviles y las cámaras digitales. Una función auto-espera, que internamente es accionada detectando a tiempo, reduce el consumo de energía en la carga ligera. Un modo espera externamente accionado reduce la energía de entrada más lejos. Las protecciones múltiples, incluyendo el MOSFET avalancha-energía-garantizado, proporcionan la alta confiabilidad del diseño de sistemas. Los dispositivos con un grado de potencia de salida creciente son los STR-W6756.

la limitación actual del Ciclo-por-ciclo, el cierre del undervoltage con histéresis, y la protección de la sobretensión protegen la fuente de alimentación durante las condiciones normales de la sobrecarga y de falta. La protección de la sobretensión está trabada después de un retraso corto. El cierre puede ser reajustado completando un ciclo la fuente de la entrada. Actual de lanzamiento bajo y un modo espera de baja potencia seleccionado del circuito secundario termina una habitación completa de características. El STR-W6754 se proporciona en un TO-220-style completamente moldeado flangemounted, poder más elevado, paquete plástico aislado.

 

CARACTERÍSTICAS Y VENTAJAS

El MOSFET Avalancha-clasificado rugoso del ■ 650 V simplificó la absorción de la oleada el ningún reducir la capacidad normal de VDSS requerido

máximo rDS del Ω del ■ 0,96 (encendido)

Modos operativos del ■ dos por la transferencia automática: Modo Cuasi-resonante para el modo de explosión de la operación normal para la operación espera o las cargas ligeras

Energía espera automática o manualmente accionada del ■ de la explosión de entrada <0>

Corriente de funcionamiento baja del ■ (tipo de 6 mA)

Operación de la explosión del establo de la función del Auto-prejuicio del ■ sin la generación de interferencia

Circuito interno del Apagado-contador de tiempo del ■

Impulsión incorporada del Constante-voltaje del ■

Protecciones múltiples del ■: Protección contra sobrecarga de la protección de la sobreintensidad de corriente del Pulso-por-pulso con la recuperación auto que traba cierre del Undervoltage de la protección de la sobretensión con histéresis

■ RoHS obediente

 

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS en TA = +25°C

Controle el voltaje de fuente, Vcc…. 35 V

Voltaje de la Dren-fuente, VDSS…… 650 V

Drene la corriente que cambia, ID…. 15 A*

Corriente que cambia del dren máximo,

  IDM…………………. 15 A

Energía de la avalancha del Solo-pulso,

  ECOMO………………. 292 mJ

Gama del voltaje de OCP/BD,

  VOCP………… – 1,5 V a +5 V

Corriente de entrada del FB, IFB……. 10 mA

Gama del voltaje del FB, punto de congelaciónde V – 0,5 V a +9 V

Disipación de poder del paquete, PD

  control (× Icc de Vcc(ENCENDIDO)) …… 0,8 W

  MOSFET (× ID DE VDSS)…. Vea el gráfico

El MOSFET canaliza a temporeros., TJ. +150°C

Temporeros internos del marco., TF…. +115°C

Gama de temperaturas de funcionamiento,

  TA………… -20°C a +115°C

Gama de temperaturas de almacenamiento,

  TS………… -40°C a +125°C

 

BLOQUE DIAGRAMA FUNCIONAL

 

DIMENSIONES del PAQUETE en milímetros

Peso del producto: aproximadamente 2,3 G.

Esfuerzo de torsión recomendado del hardware de montaje: 0,588 ~ 0,785 nanómetros, 6 ~ × cm de 8 kgf.

Grasa recomendada del silicio: Dow Corning SC102, Toshiba YG6260, Shin-Etsu G746, o equivalente.

 

 

Oferta común (venta caliente)

Número de parte.Q'tyMFGD/CPaquete
LM3526MX-H2578NSC14+SOP-8
NMV1215SAC3580MURATA16+SORBO
LM4853MM932NSC13+MSOP-10
L91463917ST15+SOP16
L6920DCTR3378ST15+MSOP8
LM7915CT10000NSC15+TO-220
MCP130T-270I/TT4930MICROCHIP16+SOT-23
PIC16F689-I/SO5033MICROCHIP16+COMPENSACIÓN
MCP2515-I/P5212MICROCHIP15+INMERSIÓN
M25P20-VMN6TPB5194ST12+COMPENSACIÓN
MCP2210-I/SO5158MICROCHIP16+COMPENSACIÓN
LM2917N-81000NSC13+DIP-8
LM675T1283NSC11+TO-220
NJU3718G-TE22940JRC10+COMPENSACIÓN
M95256-WMN6TP6597ST15+COMPENSACIÓN
OPA551FA/5007980TI14+TO-263
ZTX6583090ZETEX11+TO-92
PIC18F67K22-I/PT4278MICROCHIP14+TQFP
MAX503EAG+4306MÁXIMA14+SSOP
MCP121T-300E/TT10000MICROCHIP16+SOT-23
LP2992AIM5-3.34743NSC15+SOT-23-5

 

 

 

 

 

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