Transistor de poder fresco del transistor MOS™ del Mosfet del poder del transistor de poder del darlington del npn SPA04N60C3

Número de modelo:SPA04N60C3
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:8700pcs
Plazo de expedición:día 1
Contacta

Add to Cart

Miembro del sitio
Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

 
SPP04N60C3, SPB04N60C3
Datos finales SPA04N60C3
 
Transistor de poder fresco de MOSô
 

Vjmax delDS @ T650V
RDS(encendido)0,95
ID4,5A

Característica
• Nueva tecnología de alto voltaje revolucionaria
• Carga ultrabaja de la puerta
• Avalancha periódica clasificada
• Dv/dt extremo clasificado
• Alta capacidad de la corriente máxima
• Transconductancia mejorada
• P-TO-220-3-31: Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto)
 
  P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1

 
Grados máximos

ParámetroSímboloValorUnidad
SPP_BBALNEARIO

Corriente continua del dren

TC = °C 25

TC = °C 100

ID

 

4,5

2,8

 

4,51)

2,81)

A
Corriente pulsada del dren, tp limitado por eljmaxde TIpulsdeD13,513,5A
Energía de la avalancha, solo pulso ID=3.4, VDD=50VECOMO130130mJ
Energía de la avalancha, t repetidorAR limitado por eljmax2) ID=4.5A, VDD=50Vde TEAR0,40,4mJ
Avalancha actual, t repetidorAR limitado por eljmaxde TIAR4,54,5A
Parásitos atmosféricos del voltaje de fuente de puertaVGS±20±20V
CA del voltaje de fuente de puerta (f >1Hz)VGS±30±30 
Disipación de poder, TC = 25°CBebéde P5031W
Funcionamiento y temperatura de almacenamientoTj, stgde T-55… +150°C

Drene la cuesta del voltaje de la fuente
VDS = 480 V, ID = 4,5 A, Tj = °C 125

dv/dt50V/ns

 
P-TO-220-3-1

 
P-TO-263-3-2 (D2-PAK)

 
P-TO-220-3-31 (FullPAK)

 
Oferta común (venta caliente)

Número de parte.Q'tyMFGD/CPaquete
MC14536BDWR2G6563EN16+COMPENSACIÓN
LT5400BCMS8E-4#PBF4130LINEAR16+MSOP
MC4741CD3556MOT16+COMPENSACIÓN
PIC10F322T-I/OT9250MICROCHIP16+BORRACHÍN
MC14584BDR2G10000EN16+COMPENSACIÓN
LT1014DSW#TRPBF8146LT14+SOP-16
MC145152DW25186FREESCAL15+COMPENSACIÓN
MC78M05CDTX10000FAI16+SOT-252
MBM29F040C-90PD-SFL14690FUJITSU16+PLCC
L6563TR3752ST15+SOP14
MUR1560G7604EN16+TO-220
MUR840G7300EN16+TO-220
MMSZ4682T1G25000EN16+SOD-123
MC68HC908QY4ACDWE3820FREESCALE16+SOIC
MB8431-90LPFQ3226FUJI16+QFP
MMSZ5246BT1G30000EN16+SOD-123
LM5642MTCX1833NSC14+TSSOP-28
PIC16F1829-I/SS5263MICROCHIP16+SSOP
L4940V123675ST14+TO-220
RA8875L3N1200RAIO15+TQFP-100
MB8421-90LPFQ-GE13165FUJI14+QFP

 
 
 
 
 

China Transistor de poder fresco del transistor MOS™ del Mosfet del poder del transistor de poder del darlington del npn SPA04N60C3 supplier

Transistor de poder fresco del transistor MOS™ del Mosfet del poder del transistor de poder del darlington del npn SPA04N60C3

Carro de la investigación 0