Los transistores del mosfet del poder más elevado RFP70N06 accionan los MOSFETs del poder del canal N del transistor del Mosfet

RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06SM

70A, 60V, 0,014 ohmios, MOSFETs del poder del canal N

Éstos son MOSFETs del poder del canal N manufacturados usando el proceso de MegaFET. Este proceso, que utiliza los tamaños de característica que se acercan a los de los circuitos de LSI, da la utilización óptima del silicio, dando por resultado funcionamiento excepcional. Fueron diseñados para el uso en usos tales como recortes reguladores, convertidores de la transferencia, conductores del motor y conductores de la retransmisión. Estos transistores se pueden actuar directamente desde los circuitos integrados.

Tipo antes de desarrollo TA49007.

Características

• 70A, 60V

• rDS (encendido) = 0.014Ω

• Modelo compensado temperatura de PSPICE®

• Corriente máxima contra curva de la anchura de pulso

• Curva del grado de UIS (solo pulso)

• temperatura de funcionamiento 175oC

• Literatura relacionada

  - TB334 “instrucciones para los componentes superficiales del soporte que sueldan a los tableros de PC”

Grados máximos absolutos TC = 25℃, salvo especificación de lo contrario

PRECAUCIÓN: Las tensiones sobre ésas enumeradas en “grados máximos absolutos” pueden causar daño permanente al dispositivo. Esto es una tensión que valora solamente y la operación del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones sobre ésos indicados en las secciones operativas de esta especificación no se implica.

NOTA: 1. TJ = 25oC a 150℃

Símbolo

Empaquetado

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