Alto voltaje programado de los chips CI de ULN2003A, órdenes de gran intensidad del transistor de Darlington

Número de modelo:ULN2003A
Lugar del origen:Filipinas
Cantidad de orden mínima:20
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:20000
Plazo de expedición:1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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Alto voltaje programado de los chips CI de ULN2003A, órdenes de gran intensidad del transistor de Darlington


 

  Los siete transistores conectados Darlington de NPN en estos órdenes están bien adaptados para conducir las lámparas, las retransmisiones, o los martillos de la impresora en una variedad de industrial y de aplicaciones de consumidor. Su alto voltaje de avería y diodos internos de la supresión aseguran la libertad de los problemas asociados a las cargas inductivas. Las corrientes máximas de la avalancha a 500 mA permiten que conduzcan las lámparas incandescentes.

 

   El ULx2003A con un resistor de entrada de 2,7 series de k está bien adaptado para los sistemas que utilizan una lógica de 5,0 V TTL o del Cmos.

 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS

(TA = 25°C, y grado se aplican a cualquier un dispositivo en el paquete, a menos que se indicare en forma diferente.)

Clasificación Símbolo Valor Unidad
Voltaje de salidaVo50 V
Voltaje de entrada VI 30V
Corriente de colector - continua IC 500 mA
Corriente baja - continuaIB 25 mA

Gama de temperaturas ambiente de funcionamiento

ULN2003A

ULQ2003A

TA

 

-20 a +85

-40 a +85

°C
Gama de temperaturas de almacenamiento Tstg-55 a +150°C
Temperatura de empalmeTJ150°C

Resistencia termal, Empalme-a-ambiente

Caso 751B, sufijo de D

RJA100 °C/W

Resistencia termal, Empalme-a-caso

Caso 751B, sufijo de D

RJC20°C/W

Sensibilidad de la descarga electrostática (ESD)

Modelo (HBM) del cuerpo humano

Modelo de máquina (MM)

Modelo cargado (CDM) del dispositivo

ESD

2000

400

1500

V

 

CURVAS de FUNCIONAMIENTO TÍPICAS - TA = 25°C

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