CASI OFF-LINE del transistor del Mosfet del poder STRG6653 - RECORTE REGULADOR del TIEMPO DE RETORNO RESONANTE

STR-G6651

RECORTE REGULADOR DEL TIEMPO DE RETORNO OFF-LINE DE QUASI-RESONANT

El STR-G6651 se diseña específicamente para satisfacer los requisitos para la integración y la confiabilidad crecientes en convertidores cuasi-resonantes off-line del tiempo de retorno. Este dispositivo incorpora el circuito primario del control y de impulsión con un MOSFET avalancha-clasificado discreto del poder.

la limitación actual del Ciclo-por-ciclo, el cierre del debajo-voltaje con histéresis, la protección de la sobretensión, y el cierre termal protege la fuente de alimentación durante las condiciones normales de la sobrecarga y de falta. La protección de la sobretensión y el cierre termal están trabados después de un retraso corto. El cierre puede ser reajustado completando un ciclo la fuente de la entrada. El inicio de poca intensidad y un modo espera de baja potencia seleccionado del circuito secundario termina una habitación completa de características. El dispositivo se proporciona en un paquete sobre-moldeado cinco-perno del estilo TO-220, permitiendo el aislamiento dieléctrico sin el compromiso de características termales. Dos formularios de la ventaja están disponibles (con y sin el sufijo ‘- LF ") acomodar la disposición de la placa de circuito impresa o apremios mecánicos.

Probado en volúmenes sustanciales, el STR-G6651 es una solución poco arriesgada robusta para las fuentes de alimentación off-line particularmente donde está un elemento la gestión de la EMI en la fuente significativo del diseño de sistemas.

CARACTERÍSTICAS

Operación Cuasi-resonante del ■

■ de potencia de salida a 66 W

■ de pequeñas pérdidas, modo espera del Pulso-Ratio-control

Protección Temperatura-compensada ■ de la sobreintensidad de corriente del Pulso-por-pulso

Sobretensión y protección termal trabadas ■

Cierre del Debajo-voltaje del ■ con histéresis

Filtro de paso bajo activo del ■ para la estabilidad aumentada de la Luz-carga

Atenuación cambiada ■ de la señal de Actual-detección marginal

Impulsión suave regulada ■ de la puerta

Velocidad de transferencia ajustable del ■ para el control de la EMI

Paquete del Cinco-Pin de Overmolded del ■

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS en TA = +25°C

Controle el voltaje de fuente, VIN……. 35 V

Voltaje de la Dren-fuente, V_DS……. 650 V

Drene la corriente, identificación

    ……………… 2,7 continuos A

    solo-pulso, ms del ≤ 1 de TW……. 7,2 A

Energía de la avalancha, E_COMO

    solo-pulso…………… 158 mJ

Gama del voltaje de la protección de la sobreintensidad de corriente,

    V_OCP…………… -0,3 V a +6 V

Voltaje del RMS del aislamiento,

    V_WM(RMS)……………… 2000 V

Disipación de poder del paquete, P_D

    control (V_EN x I_{ADENTRO(ENCENDIDO)}) ……… 0,8 W

    total………………. Vea el gráfico

El FET canaliza la temperatura, TJ… +150°C

Temperatura interna del marco, TF. +125°C

Gama de temperaturas de funcionamiento,

    T_A…………… -20°C a +125°C

Gama de temperaturas de almacenamiento,

    T_S…………… -40°C a +125°C

BLOQUE DIAGRAMA FUNCIONAL

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