SI2301CDS - T1 - transistores P del mosfet del poder más elevado E3 - MOSFET del canal 20-V (D-S)

Número de modelo:SI2301CDS-T1-E3
Lugar del origen:Filipinas
Cantidad de orden mínima:20
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:20000
Plazo de expedición:1
Contacta

Add to Cart

Miembro del sitio
Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

SI2301CDS - T1 - transistores P del mosfet del poder más elevado E3 - MOSFET del canal 20-V (D-S)

MOSFET del P-canal 20-V (D-S)


CARACTERÍSTICAS

• opción Halógeno-libre disponible

• MOSFET del poder de TrenchFET®

 

USOS

• Interruptor de la carga

 

RESUMEN DEL PRODUCTO DEL MOSFET
VDS (V) RDS(encendido) (Ω)ID (A)Qg (tipo.)
- 200,112 en VGS = - 4,5 V- 3,13,3 nC
0,142 en VGS = - 2,5 V- 2,7

 

 

°C TÍPICO de las CARACTERÍSTICAS 25, a menos que se indicare en forma diferente

China SI2301CDS - T1 - transistores P del mosfet del poder más elevado E3 - MOSFET del canal 20-V (D-S) supplier

SI2301CDS - T1 - transistores P del mosfet del poder más elevado E3 - MOSFET del canal 20-V (D-S)

Carro de la investigación 0