Módulo 600V, parada de campo 60A IGBT del Mosfet del poder de FGH60N60SFD

Número de modelo:FGH60N60SFD
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:Negociar
Plazo de expedición:día 1
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Miembro del sitio
Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

 

FGH60N60SFD

600V, parada de campo 60A IGBT

 

Características

• Capacidad de gran intensidad

• Voltaje de saturación bajo: VCE (sentado) =2.3V @ IC = 60A

• Alta impedancia de entrada

• Transferencia rápida

• RoHS obediente

 

Usos

• Calefacción de inducción, UPS, SMPS, PFC

 

Descripción general

Usando tecnología nueva de la parada de campo IGBT, las nuevas series de Fairchild de parada de campo IGBTs ofrecen el funcionamiento óptimo para los usos de la calefacción de inducción, de UPS, de SMPS y de PFC donde están esenciales la conducción y las pérdidas bajas de la transferencia.

 

Grados máximos absolutos

SímboloDescripciónGradosUnidades
VCESColector al voltaje del emisor600V
VGESPuerta al voltaje del emisor± 20V
ICCorriente de colector @ TC = 25℃120A
Corriente de colector @ TC = 100℃60A
ICM(1)Corriente de colector pulsada @ TC = 25℃180A
PDDisipación de poder máxima @ TC = 25℃378W
Disipación de poder máxima @ TC = 100℃151W
TJTemperatura de empalme de funcionamiento-55 a +150
Stgde TGama de temperaturas de almacenamiento-55 a +150
TLTemporeros máximos de la ventaja. para los propósitos que sueldan, 1/8" del caso por 5 segundos300

Notas: 1: Prueba repetidor, anchura de pulso limitada por temperatura máxima del juntion

 

 

Dimensiones mecánicas

 

TO-247AB (CÓDIGO 001 DEL PAQUETE DE FKS)

 

 

China Módulo 600V, parada de campo 60A IGBT del Mosfet del poder de FGH60N60SFD supplier

Módulo 600V, parada de campo 60A IGBT del Mosfet del poder de FGH60N60SFD

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